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一种功率半导体器件及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311704665.6
申请日：
2023-12-13
公开(公告)号：
CN117393586B
公开(公告)日：
2024-04-05
发明(设计)人：
蔡尚修
申请人：
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址：
230000 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
IPC主分类号：
H01L29/06
IPC分类号：
H01L27/088
H01L21/8234
代理机构：
上海汉之律师事务所 31378
代理人：
吴南仪
法律状态：
授权
国省代码：
天津市
市辖区
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-04-05 | 授权 | 授权 |
| 2024-01-30 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20231213 |
| 2024-01-12 | 公开 | 公开 |