一种超结功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111509641.6

申请日：

2021-12-10

公开(公告)号：

CN114203824B

公开(公告)日：

2022-03-18

发明(设计)人：

朱袁正周锦程李宗清叶鹏

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区电腾路6号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2906 H01L29423

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-18	公开	公开
2022-08-19	授权	授权
2022-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20211210

共 50 条

[1]

超结功率半导体器件和用于制造超结功率半导体器件的方法 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN120167136A ,2025-06-17

[2]

全超结功率半导体器件及其制造方法 [P].

支立明 .

中国专利 :CN120050980A ,2025-05-27

[3]

超结功率半导体器件 [P].

丹尼尔·M·金策 .

中国专利 :CN101641791A ,2010-02-03

[4]

一种超结半导体器件及其制造方法 [P].

杨国江 ;

于世珩 .

中国专利 :CN115188804B ,2022-11-15

[5]

一种超结功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

李宗清 .

中国专利 :CN210156383U ,2020-03-17

[6]

制造超结半导体器件和半导体器件 [P].

A·威尔梅洛斯 ;

F·希尔勒 ;

H-J·舒尔策 ;

U·瓦尔 ;

W·凯因德尔 .

中国专利 :CN103996701A ,2014-08-20

[7]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

童亮 .

中国专利 :CN105489498A ,2016-04-13

[8]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

高津爱 ;

梁路 ;

韩廷瑜 .

中国专利 :CN118299403A ,2024-07-05

[9]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

张耀权 ;

韩廷瑜 ;

梁路 .

中国专利 :CN117894820A ,2024-04-16

[10]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

袁家贵 ;

何云 ;

罗顶 ;

管浩 .

中国专利 :CN111463131A ,2020-07-28

← 1 2 3 4 5 →