一种超结半导体器件及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202211112816.4

申请日：

2022-09-14

公开(公告)号：

CN115188804B

公开(公告)日：

2022-11-15

发明(设计)人：

杨国江于世珩

申请人：

申请人地址：

210000 江苏省南京市江北新区研创园腾飞大厦C座13楼

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

南京华讯知识产权代理事务所(普通合伙) 32413

代理人：

仝东凤

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-15	授权	授权

共 50 条

[1]

制造超结半导体器件和半导体器件 [P].

A·威尔梅洛斯 ;

F·希尔勒 ;

H-J·舒尔策 ;

U·瓦尔 ;

W·凯因德尔 .

中国专利 :CN103996701A ,2014-08-20

[2]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

童亮 .

中国专利 :CN105489498A ,2016-04-13

[3]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

高津爱 ;

梁路 ;

韩廷瑜 .

中国专利 :CN118299403A ,2024-07-05

[4]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

张耀权 ;

韩廷瑜 ;

梁路 .

中国专利 :CN117894820A ,2024-04-16

[5]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

袁家贵 ;

何云 ;

罗顶 ;

管浩 .

中国专利 :CN111463131A ,2020-07-28

[6]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

金起焕 ;

林志容 ;

文寿泳 ;

郑在现 ;

韩珍圣 ;

姜棋太 ;

全盛灿 .

韩国专利 :CN121013378A ,2025-11-25

[7]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

朴赞毫 ;

金起焕 ;

李定妍 ;

文寿泳 ;

林志容 .

韩国专利 :CN118352390A ,2024-07-16

[8]

一种超结功率半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

李宗清 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN114203824B ,2022-03-18

[9]

一种肖特基超结半导体器件及其制造方法 [P].

王立中 .

中国专利 :CN113964186A ,2022-01-21

[10]

一种超结半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

李宗清 .

中国专利 :CN105006484A ,2015-10-28

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