超结半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510656844.X

申请日：

2025-05-21

公开(公告)号：

CN121013378A

公开(公告)日：

2025-11-25

发明(设计)人：

金起焕林志容文寿泳郑在现韩珍圣姜棋太全盛灿

申请人：

美格纳半导体有限公司

申请人地址：

韩国

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D62/00 H10D62/10 H10D30/01

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

陈炜;李德山

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-25	公开	公开

共 50 条

[1]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

朴赞毫 ;

金起焕 ;

李定妍 ;

文寿泳 ;

林志容 .

韩国专利 :CN118352390A ,2024-07-16

[2]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

童亮 .

中国专利 :CN105489498A ,2016-04-13

[3]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

高津爱 ;

梁路 ;

韩廷瑜 .

中国专利 :CN118299403A ,2024-07-05

[4]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

张耀权 ;

韩廷瑜 ;

梁路 .

中国专利 :CN117894820A ,2024-04-16

[5]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

袁家贵 ;

何云 ;

罗顶 ;

管浩 .

中国专利 :CN111463131A ,2020-07-28

[6]

制造超结半导体器件和半导体器件 [P].

A·威尔梅洛斯 ;

F·希尔勒 ;

H-J·舒尔策 ;

U·瓦尔 ;

W·凯因德尔 .

中国专利 :CN103996701A ,2014-08-20

[7]

制造超结半导体器件的方法 [P].

大井明彦 .

中国专利 :CN102280383A ,2011-12-14

[8]

制造超结半导体器件的方法 [P].

岛藤贵行 .

中国专利 :CN102254827A ,2011-11-23

[9]

制造超结半导体器件的方法 [P].

儿玉奈绪子 .

中国专利 :CN102254850A ,2011-11-23

[10]

超结半导体器件及制造方法 [P].

H·韦伯 .

中国专利 :CN104347351A ,2015-02-11

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