一种浅沟道超结MOS半导体器件及其制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510138278.3

申请日：

2025-02-08

公开(公告)号：

CN119603999B

公开(公告)日：

2025-05-02

发明(设计)人：

许一力李鑫刘倩倩

申请人：

杭州谱析光晶半导体科技有限公司

申请人地址：

310000 浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路168号3幢4层405（自主分割）

IPC主分类号：

H10D30/63

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/10 H10D62/17

代理机构：

北京鑫浩联德专利代理事务所(普通合伙) 11380

代理人：

刘加龙

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-02	授权	授权
2025-03-11	公开	公开
2025-03-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/63申请日:20250208

共 50 条

[1]

一种浅沟道超结MOS半导体器件及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN119603999A ,2025-03-11

[2]

一种超结MOS半导体器件 [P].

许一力 .

中国专利 :CN222750779U ,2025-04-11

[3]

一种浅沟道超结MOS半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN212907744U ,2021-04-06

[4]

一种MOS功率半导体器件 [P].

许一力 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN118888593A ,2024-11-01

[5]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831B ,2025-05-16

[6]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831A ,2025-01-24

[7]

超结半导体器件 [P].

苑羽中 ;

张玉琦 ;

戴银 .

中国专利 :CN114512536B ,2022-05-17

[8]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN120603304A ,2025-09-05

[9]

超结SGT MOS功率半导体器件结构 [P].

廖巍 ;

张海涛 .

中国专利 :CN213184293U ,2021-05-11

[10]

一种辐照加固的SiC超结MOS结构及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120417443A ,2025-08-01

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