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平面栅功率MOSFET抗单粒子烧毁器件及制备方法

被引：0
申请号：
CN202210799050.5
申请日：
2022-07-06
公开(公告)号：
CN115117053A
公开(公告)日：
2022-09-27
发明(设计)人：
王颖 罗佳豪 曹菲 李兴冀 杨剑群
申请人：
申请人地址：
310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
IPC主分类号：
H01L2702
IPC分类号：
H01L2128 H01L2906 H01L29417 H01L2966 H01L2978
代理机构：
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240
代理人：
杨舟涛
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-09-27 公开 公开
共 50 条
[1]
一种抗单粒子烧毁的沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
王颖 ;
罗佳豪 ;
包梦恬 ;
李兴冀 ;
杨剑群 .
中国专利 :CN115566073A ,2023-01-03
[2]
一种栅极功率MOSFET抗单粒子烧毁器件半元胞结构 [P]. 
王颖 ;
林茂 ;
于成浩 ;
包梦恬 ;
曹菲 .
中国专利 :CN110610995A ,2019-12-24
[3]
一种抗单粒子烧毁的功率器件及其制备方法 [P]. 
刘涛 ;
黄汇钦 .
中国专利 :CN116130521B ,2025-10-10
[4]
一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构以及制备方法 [P]. 
王颖 ;
毕建雄 ;
曹菲 ;
包梦恬 ;
于成浩 ;
李兴冀 ;
杨剑群 .
中国专利 :CN112951915B ,2021-06-11
[5]
一种碳化硅槽栅器件抗单粒子烧毁器件结构及制备方法 [P]. 
王颖 ;
陈德鑫 ;
曹菲 ;
包梦恬 .
中国专利 :CN118315372A ,2024-07-09
[6]
抗单粒子烧毁LDMOS器件 [P]. 
王颖 ;
于成浩 ;
曹菲 ;
包梦恬 .
中国专利 :CN110112217A ,2019-08-09
[7]
一种抗单粒子烧毁的横向功率器件 [P]. 
李明宇 .
中国专利 :CN217405420U ,2022-09-09
[8]
一种提升沟槽型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法 [P]. 
廖远宝 ;
徐海铭 ;
唐新宇 ;
徐政 .
中国专利 :CN120091584B ,2025-11-28
[9]
一种提升trench型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法 [P]. 
廖远宝 ;
徐海铭 ;
唐新宇 ;
徐政 .
中国专利 :CN120091584A ,2025-06-03
[10]
一种具有抗单粒子烧毁能力的功率器件 [P]. 
王颖 ;
黄昊 ;
李兴冀 ;
杨剑群 ;
包梦恬 ;
曹菲 .
中国专利 :CN114171578A ,2022-03-11
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