一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构以及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110108176.9

申请日：

2021-01-27

公开(公告)号：

CN112951915B

公开(公告)日：

2021-06-11

发明(设计)人：

王颖毕建雄曹菲包梦恬于成浩李兴冀杨剑群

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市杭州经济开发区白杨街道2号大街1158号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29417 H01L2908 H01L21336

代理机构：

北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562

代理人：

王颖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210127
2021-06-11	公开	公开
2022-06-03	授权	授权

共 50 条

[1]

平面栅功率MOSFET抗单粒子烧毁器件及制备方法 [P].

王颖 ;

罗佳豪 ;

曹菲 ;

李兴冀 ;

杨剑群 .

中国专利 :CN115117053A ,2022-09-27

[2]

一种具有抗单粒子烧毁加固结构的CAVET器件及其制造方法 [P].

魏远 ;

张孝冬 ;

梁伟 ;

沈重 ;

赵哲 .

中国专利 :CN117855264A ,2024-04-09

[3]

一种栅极功率MOSFET抗单粒子烧毁器件半元胞结构 [P].

王颖 ;

林茂 ;

于成浩 ;

包梦恬 ;

曹菲 .

中国专利 :CN110610995A ,2019-12-24

[4]

一种抗单粒子烧毁的功率器件及其制备方法 [P].

刘涛 ;

黄汇钦 .

中国专利 :CN116130521B ,2025-10-10

[5]

一种抗单粒子烧毁的横向功率器件 [P].

李明宇 .

中国专利 :CN217405420U ,2022-09-09

[6]

一种碳化硅槽栅器件抗单粒子烧毁器件结构及制备方法 [P].

王颖 ;

陈德鑫 ;

曹菲 ;

包梦恬 .

中国专利 :CN118315372A ,2024-07-09

[7]

一种具有抗单粒子烧毁能力的功率器件 [P].

王颖 ;

黄昊 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

包梦恬 ;

曹菲 .

中国专利 :CN114171578A ,2022-03-11

[8]

一种具有抗单粒子烧毁能力的功率器件 [P].

王颖 ;

黄昊 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

包梦恬 ;

曹菲 .

中国专利 :CN114171578B ,2025-03-25

[9]

一种功率半导体器件抗单粒子烧毁方法 [P].

王颖 ;

于成浩 ;

曹菲 ;

胡海帆 .

中国专利 :CN103928338A ,2014-07-16

[10]

一种氧化镓MOSFET器件抗单粒子烧毁加固结构及其仿真优化方法 [P].

曹荣幸 ;

刘涵勋 ;

韩丹 ;

王祖军 ;

丁李利 ;

薛院院 ;

薛玉雄 .

中国专利 :CN118981841A ,2024-11-19

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