一种氧化镓MOSFET器件抗单粒子烧毁加固结构及其仿真优化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410912121.7

申请日：

2024-07-09

公开(公告)号：

CN118981841A

公开(公告)日：

2024-11-19

发明(设计)人：

曹荣幸刘涵勋韩丹王祖军丁李利薛院院薛玉雄

申请人：

扬州大学

申请人地址：

225009 江苏省扬州市大学南路88号

IPC主分类号：

G06F30/17

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/24 G06F30/25 G06F30/23 G06T17/20 G06F111/10 G06F119/06 G06F119/02 G06F119/08 G06F113/08

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人：

唐循文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省扬州市

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共 50 条

[1]

氧化镓MOSFET高压器件抗单粒子效应的加固结构 [P].

舒磊 ;

胡立滨 ;

朱慧平 ;

李博 .

中国专利 :CN120565551A ,2025-08-29

[2]

一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构以及制备方法 [P].

王颖 ;

毕建雄 ;

曹菲 ;

包梦恬 ;

于成浩 ;

李兴冀 ;

杨剑群 .

中国专利 :CN112951915B ,2021-06-11

[3]

氧化镓MOSFET高压器件抗单粒子效应的加固系统 [P].

舒磊 ;

胡立滨 ;

朱慧平 ;

李博 .

中国专利 :CN120613336A ,2025-09-09

[4]

一种具有抗单粒子烧毁加固结构的CAVET器件及其制造方法 [P].

魏远 ;

张孝冬 ;

梁伟 ;

沈重 ;

赵哲 .

中国专利 :CN117855264A ,2024-04-09

[5]

一种基于SIC-VDMOSFET器件的单粒子烧毁加固结构及其制备方法 [P].

秦林生 ;

金森磊 ;

马林东 ;

王昆黍 ;

汪波 ;

梁晓雯 ;

孔泽斌 ;

刘元 ;

琚安安 ;

陈凡 ;

祝伟明 ;

余学峰 ;

郭旗 .

中国专利 :CN117894818A ,2024-04-16

[6]

一种栅极功率MOSFET抗单粒子烧毁器件半元胞结构 [P].

王颖 ;

林茂 ;

于成浩 ;

包梦恬 ;

曹菲 .

中国专利 :CN110610995A ,2019-12-24

[7]

一种抗单粒子烧毁的沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

王颖 ;

罗佳豪 ;

包梦恬 ;

李兴冀 ;

杨剑群 .

中国专利 :CN115566073A ,2023-01-03

[8]

平面栅功率MOSFET抗单粒子烧毁器件及制备方法 [P].

王颖 ;

罗佳豪 ;

曹菲 ;

李兴冀 ;

杨剑群 .

中国专利 :CN115117053A ,2022-09-27

[9]

一种抗单粒子烧毁的加固p-GaN增强型氮化镓器件及其制备方法 [P].

郑雪峰 ;

蔺丹妹 ;

刘凯 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN121218635A ,2025-12-26

[10]

一种抗单粒子烧毁的功率器件及其制备方法 [P].

刘涛 ;

黄汇钦 .

中国专利 :CN116130521B ,2025-10-10

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G06F 30/17申请日:20240709
2025-09-05	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回IPC(主分类):G06F 30/17申请公布日:20241119
2024-11-19	公开	公开