一种栅极功率MOSFET抗单粒子烧毁器件半元胞结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910807978.1

申请日：

2019-08-29

公开(公告)号：

CN110610995A

公开(公告)日：

2019-12-24

发明(设计)人：

王颖林茂于成浩包梦恬曹菲

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240

代理人：

杨舟涛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190829
2019-12-24	公开	公开

共 50 条

[1]

平面栅功率MOSFET抗单粒子烧毁器件及制备方法 [P].

王颖 ;

罗佳豪 ;

曹菲 ;

李兴冀 ;

杨剑群 .

中国专利 :CN115117053A ,2022-09-27

[2]

一种RC-IGBT抗单粒子烧毁器件半元胞结构 [P].

王颖 ;

张孝冬 ;

包梦恬 ;

于成浩 .

中国专利 :CN114361241A ,2022-04-15

[3]

一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构以及制备方法 [P].

王颖 ;

毕建雄 ;

曹菲 ;

包梦恬 ;

于成浩 ;

李兴冀 ;

杨剑群 .

中国专利 :CN112951915B ,2021-06-11

[4]

一种抗单粒子烧毁的横向功率器件 [P].

李明宇 .

中国专利 :CN217405420U ,2022-09-09

[5]

一种抗单粒子烧毁的功率器件及其制备方法 [P].

刘涛 ;

黄汇钦 .

中国专利 :CN116130521B ,2025-10-10

[6]

一种具有抗单粒子烧毁能力的功率器件 [P].

王颖 ;

黄昊 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

包梦恬 ;

曹菲 .

中国专利 :CN114171578A ,2022-03-11

[7]

一种抗单粒子烧毁的沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

王颖 ;

罗佳豪 ;

包梦恬 ;

李兴冀 ;

杨剑群 .

中国专利 :CN115566073A ,2023-01-03

[8]

一种具有抗单粒子烧毁能力的功率器件 [P].

王颖 ;

黄昊 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

包梦恬 ;

曹菲 .

中国专利 :CN114171578B ,2025-03-25

[9]

一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构 [P].

王颖 ;

于成浩 ;

曹菲 ;

包梦恬 .

中国专利 :CN110429077A ,2019-11-08

[10]

一种提升沟槽型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法 [P].

廖远宝 ;

徐海铭 ;

唐新宇 ;

徐政 .

中国专利 :CN120091584B ,2025-11-28

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