一种具有延伸栅结构的SOI LDMOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410439269.X

申请日：

2014-08-29

公开(公告)号：

CN104183646A

公开(公告)日：

2014-12-03

发明(设计)人：

罗小蓉李鹏程田瑞超徐青张彦辉魏杰石先龙张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906

代理机构：

成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227

代理人：

李玉兴

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101754607705 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201410439269X 申请公布日:20141203
2014-12-03	公开	公开
2014-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101593539021 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201410439269X 申请日:20140829

共 50 条

[1]

具有U型延伸栅的SOI槽型LDMOS器件 [P].

罗小蓉 ;

田瑞超 ;

徐菁 ;

石先龙 ;

李鹏程 ;

魏杰 ;

张波 .

中国专利 :CN103904124A ,2014-07-02

[2]

一种横向SOI功率LDMOS器件 [P].

罗小蓉 ;

田瑞超 ;

魏杰 ;

李鹏程 ;

徐青 ;

石先龙 ;

尹超 ;

张波 .

中国专利 :CN104201206A ,2014-12-10

[3]

一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件 [P].

胡盛东 ;

金晶晶 ;

陈银晖 ;

朱志 ;

武星河 ;

李少红 ;

阮祯臻 ;

丁文春 .

中国专利 :CN103915506B ,2014-07-09

[4]

一种具有埋氧场板的SOI LDMOS器件 [P].

王颖 ;

王祎帆 ;

于成浩 ;

曹菲 .

中国专利 :CN105932062B ,2016-09-07

[5]

一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件 [P].

罗小蓉 ;

吕孟山 ;

尹超 ;

魏杰 ;

谭桥 ;

周坤 ;

葛薇薇 ;

何清源 .

中国专利 :CN106024858A ,2016-10-12

[6]

具有H型栅的射频SOI LDMOS器件 [P].

刘梦新 ;

毕津顺 ;

范雪梅 ;

赵超荣 ;

韩郑生 ;

刘刚 .

中国专利 :CN101515588A ,2009-08-26

[7]

具有延伸漏结构的超结双SOI-LDMOS器件及制造方法 [P].

李曼 ;

刘安琪 ;

郭宇锋 ;

姚佳飞 ;

张珺 ;

杨可萌 ;

陈静 ;

张茂林 .

中国专利 :CN117766588A ,2024-03-26

[8]

具有延伸漏结构的超结双SOI-LDMOS器件及制造方法 [P].

李曼 ;

刘安琪 ;

郭宇锋 ;

姚佳飞 ;

张珺 ;

杨可萌 ;

陈静 ;

张茂林 .

中国专利 :CN117766588B ,2024-04-30

[9]

一种多栅SOI-LDMOS器件结构 [P].

赵清太 ;

徐大伟 ;

西格弗里德曼特尔 ;

俞跃辉 ;

程新红 .

中国专利 :CN103594517A ,2014-02-19

[10]

一种具有界面栅的SOI功率器件结构 [P].

胡盛东 ;

陈银晖 ;

金晶晶 ;

朱志 ;

武星河 ;

雷剑梅 ;

周喜川 .

中国专利 :CN103560145A ,2014-02-05

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