具有H型栅的射频SOI LDMOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810057936.2

申请日：

2008-02-21

公开(公告)号：

CN101515588A

公开(公告)日：

2009-08-26

发明(设计)人：

刘梦新毕津顺范雪梅赵超荣韩郑生刘刚

申请人：

申请人地址：

100029北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L23522 H01L29786 H01L2184 H01L21336 H01L2128 H01L21265

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

周国城

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20080221 授权公告日:20100728 终止日期:20190221
2010-07-28	授权	授权
2009-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-08-26	公开	公开
2013-05-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101588805440 IPC(主分类):H01L 27/12 专利号:ZL2008100579362 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院微电子研究所变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中国科学院微电子研究所登记生效日:20130419

共 50 条

[1]

具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件 [P].

刘梦新 ;

毕津顺 ;

范雪梅 ;

赵超荣 ;

韩郑生 ;

刘刚 .

中国专利 :CN101515586A ,2009-08-26

[2]

基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法 [P].

刘梦新 ;

陈蕾 ;

毕津顺 ;

刘刚 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN102054845A ,2011-05-11

[3]

具有U型延伸栅的SOI槽型LDMOS器件 [P].

罗小蓉 ;

田瑞超 ;

徐菁 ;

石先龙 ;

李鹏程 ;

魏杰 ;

张波 .

中国专利 :CN103904124A ,2014-07-02

[4]

一种具有延伸栅结构的SOI LDMOS器件 [P].

罗小蓉 ;

李鹏程 ;

田瑞超 ;

徐青 ;

张彦辉 ;

魏杰 ;

石先龙 ;

张波 .

中国专利 :CN104183646A ,2014-12-03

[5]

射频LDMOS器件 [P].

蔡莹 ;

周正良 .

中国专利 :CN105374879A ,2016-03-02

[6]

集成纵向沟道SOI LDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

张亮 ;

苏步春 ;

张帆 ;

刘国华 ;

徐丽燕 .

中国专利 :CN201374335Y ,2009-12-30

[7]

具有鳍式Z型栅结构的SOI-LDMOS器件 [P].

陈伟中 ;

严仪欣 ;

秦嘉玲 ;

何玉婷 .

中国专利 :CN117766573A ,2024-03-26

[8]

集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

陈波 ;

李浩 .

中国专利 :CN102097482A ,2011-06-15

[9]

降低射频LDMOS器件中栅电阻的方法 [P].

张帅 ;

王海军 .

中国专利 :CN102412153A ,2012-04-11

[10]

SOI LDMOS器件的版图 [P].

汪琦 ;

朱丽霞 ;

陈婧 .

中国专利 :CN120500081A ,2025-08-15

← 1 2 3 4 5 →