基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910236718.X

申请日：

2009-10-28

公开(公告)号：

CN102054845A

公开(公告)日：

2011-05-11

发明(设计)人：

刘梦新陈蕾毕津顺刘刚韩郑生

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2978 H01L2352 H01L2128 H01L21336 H01L21266 H01L21316

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-21	授权	授权
2013-12-18	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101681066329 IPC(主分类):H01L 27/12 专利号:ZL200910236718X 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院微电子研究所变更后权利人:北京中科微投资管理有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号变更后权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号15幢328室登记生效日:20131129
2011-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101081911324 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:200910236718X 申请日:20091028
2011-05-11	公开	公开
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689552249 IPC(主分类):H01L 27/12 专利号:ZL200910236718X 变更事项:专利权人变更前权利人:北京中科微投资管理有限责任公司变更后权利人:北京中科新微特科技开发股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号15幢328室变更后权利人:100029 北京市朝阳区北土城11号微电子研究所综合楼4层登记生效日:20140108

共 50 条

[1]

具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件 [P].

刘梦新 ;

毕津顺 ;

范雪梅 ;

赵超荣 ;

韩郑生 ;

刘刚 .

中国专利 :CN101515586A ,2009-08-26

[2]

具有H型栅的射频SOI LDMOS器件 [P].

刘梦新 ;

毕津顺 ;

范雪梅 ;

赵超荣 ;

韩郑生 ;

刘刚 .

中国专利 :CN101515588A ,2009-08-26

[3]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104716187B ,2015-06-17

[4]

SOI LDMOS器件的版图 [P].

汪琦 ;

朱丽霞 ;

陈婧 .

中国专利 :CN120500081A ,2025-08-15

[5]

基于SOI衬底的LDMOS器件及其制备方法 [P].

王晓日 ;

杨留鹏 ;

王函 .

中国专利 :CN118412282A ,2024-07-30

[6]

一种基于SOI衬底的LDMOS器件、其制作方法与应用 [P].

莫海锋 .

中国专利 :CN115706162A ,2023-02-17

[7]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104638003B ,2015-05-20

[8]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104638001A ,2015-05-20

[9]

射频LDMOS器件的制造方法 [P].

马彪 ;

周正良 ;

遇寒 .

中国专利 :CN104425261A ,2015-03-18

[10]

射频LDMOS器件的制造方法 [P].

张帅 ;

王海军 ;

王雷 .

中国专利 :CN102237276A ,2011-11-09

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