射频LDMOS器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010154891.8

申请日：

2010-04-22

公开(公告)号：

CN102237276A

公开(公告)日：

2011-11-09

发明(设计)人：

张帅王海军王雷

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21283

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

陈平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-09	公开	公开
2014-04-16	授权	授权
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689889505 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2010101548918 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140109
2011-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101158510873 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2010101548918 申请日:20100422

共 50 条

[1]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN103035729A ,2013-04-10

[2]

射频LDMOS器件的制造方法 [P].

王春 ;

蔡莹 ;

周正良 .

中国专利 :CN104465404B ,2015-03-25

[3]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN103035730A ,2013-04-10

[4]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

周正良 .

中国专利 :CN105047716B ,2015-11-11

[5]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

蔡莹 ;

周正良 ;

李昊 .

中国专利 :CN104425589B ,2015-03-18

[6]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

李娟娟 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104538441B ,2015-04-22

[7]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

周正良 ;

陈曦 .

中国专利 :CN104485360B ,2015-04-01

[8]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN104218080B ,2014-12-17

[9]

射频LDMOS器件的制造方法 [P].

马彪 ;

周正良 ;

遇寒 .

中国专利 :CN104425261A ,2015-03-18

[10]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

张帅 ;

王海军 .

中国专利 :CN102237406A ,2011-11-09

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