射频LDMOS器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410837468.6

申请日：

2014-12-24

公开(公告)号：

CN104465404B

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

王春蔡莹周正良

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-24	授权	授权
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607380984 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014108374686 申请日:20141224
2015-03-25	公开	公开

共 50 条

[1]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

蔡莹 ;

周正良 ;

李昊 .

中国专利 :CN104425589B ,2015-03-18

[2]

射频LDMOS器件 [P].

蔡莹 ;

周正良 .

中国专利 :CN105374879A ,2016-03-02

[3]

射频LDMOS器件的制造方法 [P].

张帅 ;

王海军 ;

王雷 .

中国专利 :CN102237276A ,2011-11-09

[4]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN109244140A ,2019-01-18

[5]

LDMOS器件制造方法 [P].

肖魁 ;

严以杰 .

中国专利 :CN102931088A ,2013-02-13

[6]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN103035730A ,2013-04-10

[7]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN103035729A ,2013-04-10

[8]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

周正良 .

中国专利 :CN105047716B ,2015-11-11

[9]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

李娟娟 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104538441B ,2015-04-22

[10]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

周正良 ;

陈曦 .

中国专利 :CN104485360B ,2015-04-01

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