LDMOS器件的工艺方法

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申请号
CN202210998142.6
申请日
2022-08-19
公开(公告)号
CN115424931A
公开(公告)日
2022-12-02
发明(设计)人
张晗 杨新杰 金锋
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L2978
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
焦健
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
LDMOS器件的工艺方法 [P]. 
张晗 ;
杨新杰 ;
金锋 .
中国专利 :CN115424931B ,2025-12-16
[2]
LDMOS器件及工艺方法 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN112117332A ,2020-12-22
[3]
LDMOS器件及工艺方法 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN111063737A ,2020-04-24
[4]
LDMOS器件的源端工艺方法 [P]. 
王星杰 ;
杨新杰 .
中国专利 :CN114188404A ,2022-03-15
[5]
LDMOS器件的源端工艺方法 [P]. 
王星杰 ;
杨新杰 .
中国专利 :CN114188404B ,2025-05-02
[6]
射频LDMOS器件及工艺方法 [P]. 
慈朋亮 ;
石晶 ;
胡君 ;
李娟娟 ;
钱文生 ;
刘冬华 ;
段文婷 .
中国专利 :CN104733525B ,2015-06-24
[7]
射频LDMOS器件及工艺方法 [P]. 
慈朋亮 ;
石晶 ;
胡君 ;
李娟娟 ;
钱文生 ;
刘冬华 .
中国专利 :CN104701369A ,2015-06-10
[8]
射频LDMOS器件及工艺方法 [P]. 
慈朋亮 ;
李娟娟 ;
钱文生 ;
肖胜安 ;
刘冬华 ;
胡君 ;
段文婷 ;
石晶 .
中国专利 :CN104752499A ,2015-07-01
[9]
射频LDMOS器件及工艺方法 [P]. 
慈朋亮 ;
李娟娟 ;
钱文生 ;
刘冬华 ;
胡君 ;
段文婷 ;
石晶 .
中国专利 :CN104752500A ,2015-07-01
[10]
射频LDMOS器件及工艺方法 [P]. 
石晶 ;
钱文生 .
中国专利 :CN104716187B ,2015-06-17