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LDMOS器件的工艺方法
被引:0
申请号
:
CN202210998142.6
申请日
:
2022-08-19
公开(公告)号
:
CN115424931A
公开(公告)日
:
2022-12-02
发明(设计)人
:
张晗
杨新杰
金锋
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号
IPC主分类号
:
H01L21336
IPC分类号
:
H01L2978
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
焦健
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-12-02
公开
公开
2022-12-20
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20220819
共 50 条
[1]
LDMOS器件的工艺方法
[P].
张晗
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
张晗
;
杨新杰
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
杨新杰
;
金锋
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
金锋
.
中国专利
:CN115424931B
,2025-12-16
[2]
LDMOS器件及工艺方法
[P].
许昭昭
论文数:
0
引用数:
0
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0
许昭昭
.
中国专利
:CN112117332A
,2020-12-22
[3]
LDMOS器件及工艺方法
[P].
许昭昭
论文数:
0
引用数:
0
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0
许昭昭
.
中国专利
:CN111063737A
,2020-04-24
[4]
LDMOS器件的源端工艺方法
[P].
王星杰
论文数:
0
引用数:
0
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0
王星杰
;
杨新杰
论文数:
0
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0
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0
杨新杰
.
中国专利
:CN114188404A
,2022-03-15
[5]
LDMOS器件的源端工艺方法
[P].
王星杰
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
王星杰
;
杨新杰
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
杨新杰
.
中国专利
:CN114188404B
,2025-05-02
[6]
射频LDMOS器件及工艺方法
[P].
慈朋亮
论文数:
0
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0
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慈朋亮
;
石晶
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石晶
;
胡君
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0
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胡君
;
李娟娟
论文数:
0
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李娟娟
;
钱文生
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0
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钱文生
;
刘冬华
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0
刘冬华
;
段文婷
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段文婷
.
中国专利
:CN104733525B
,2015-06-24
[7]
射频LDMOS器件及工艺方法
[P].
慈朋亮
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慈朋亮
;
石晶
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石晶
;
胡君
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胡君
;
李娟娟
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李娟娟
;
钱文生
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钱文生
;
刘冬华
论文数:
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0
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刘冬华
.
中国专利
:CN104701369A
,2015-06-10
[8]
射频LDMOS器件及工艺方法
[P].
慈朋亮
论文数:
0
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0
慈朋亮
;
李娟娟
论文数:
0
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李娟娟
;
钱文生
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钱文生
;
肖胜安
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肖胜安
;
刘冬华
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刘冬华
;
胡君
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胡君
;
段文婷
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段文婷
;
石晶
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石晶
.
中国专利
:CN104752499A
,2015-07-01
[9]
射频LDMOS器件及工艺方法
[P].
慈朋亮
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0
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慈朋亮
;
李娟娟
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李娟娟
;
钱文生
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钱文生
;
刘冬华
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0
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刘冬华
;
胡君
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胡君
;
段文婷
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段文婷
;
石晶
论文数:
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0
石晶
.
中国专利
:CN104752500A
,2015-07-01
[10]
射频LDMOS器件及工艺方法
[P].
石晶
论文数:
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石晶
;
钱文生
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钱文生
.
中国专利
:CN104716187B
,2015-06-17
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