一种射频LDMOS的“Γ”型栅结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610359834.0

申请日：

2016-05-27

公开(公告)号：

CN105895705B

公开(公告)日：

2016-08-24

发明(设计)人：

刘洪军赵杨杨应贤炜盛国兴王佃利

申请人：

申请人地址：

210016 江苏省南京市中山东路524号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2128 H01L29423

代理机构：

南京君陶专利商标代理有限公司 32215

代理人：

沈根水

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-24	公开	公开
2016-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101679351853 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016103598340 申请日:20160527
2018-11-27	授权	授权

共 50 条

[1]

一种射频LDMOS的薄栅结构及其制备方法 [P].

赵杨杨 ;

刘洪军 ;

王佃利 ;

应贤炜 .

中国专利 :CN107086246B ,2017-08-22

[2]

射频LDMOS的PolySi薄栅结构及其制备方法 [P].

刘洪军 ;

赵杨杨 ;

王佃利 ;

应贤炜 .

中国专利 :CN107123672B ,2017-09-01

[3]

一种射频LDMOS的侧壁栅结构及其制备方法 [P].

刘洪军 ;

赵杨杨 .

中国专利 :CN110112210B ,2019-08-09

[4]

具有H型栅的射频SOI LDMOS器件 [P].

刘梦新 ;

毕津顺 ;

范雪梅 ;

赵超荣 ;

韩郑生 ;

刘刚 .

中国专利 :CN101515588A ,2009-08-26

[5]

一种射频LDMOS器件及其制备方法 [P].

杜寰 .

中国专利 :CN104241380A ,2014-12-24

[6]

一种射频LDMOS器件及其制备方法 [P].

杜寰 .

中国专利 :CN104241381A ,2014-12-24

[7]

一种射频LDMOS器件及其制备方法 [P].

杜寰 .

中国专利 :CN104241379A ,2014-12-24

[8]

一种射频LDMOS器件及其制备方法 [P].

杜寰 .

中国专利 :CN104241377A ,2014-12-24

[9]

射频LDMOS器件结构及其制备方法 [P].

王雷 ;

王海军 ;

彭虎 ;

缪燕 .

中国专利 :CN102254913A ,2011-11-23

[10]

一种精细多晶硅硅化物复合栅结构及其制备方法 [P].

刘洪军 ;

王佃利 ;

应贤伟 .

中国专利 :CN104810404A ,2015-07-29

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