消除多晶硅刻蚀工艺中多晶硅残余的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410714842.3

申请日：

2014-11-28

公开(公告)号：

CN104465352A

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

束伟夫荆泉任昱张旭升

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L2166

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

吴俊

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-04	授权	授权
2015-03-25	公开	公开
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607353562 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2014107148423 申请日:20141128

共 50 条

[1]

多晶硅的刻蚀方法 [P].

向磊 .

中国专利 :CN112820640A ,2021-05-18

[2]

多晶硅的刻蚀方法 [P].

向磊 .

中国专利 :CN112820640B ,2024-06-14

[3]

多晶硅刻蚀方法 [P].

王骏杰 ;

陈伏宏 ;

蒋燚 .

中国专利 :CN104779152A ,2015-07-15

[4]

多晶硅刻蚀的方法 [P].

霍秀敏 .

中国专利 :CN101202224A ,2008-06-18

[5]

多晶硅的刻蚀方法 [P].

张娟 .

中国专利 :CN119943663A ,2025-05-06

[6]

多晶硅刻蚀方法 [P].

向磊 ;

戴鸿冉 ;

熊磊 .

中国专利 :CN111415900B ,2020-07-14

[7]

多晶硅刻蚀方法 [P].

张振兴 ;

奚裴 .

中国专利 :CN101866844A ,2010-10-20

[8]

多晶硅刻蚀方法 [P].

高慧慧 ;

秦伟 ;

杨渝书 ;

李程 .

中国专利 :CN105470120A ,2016-04-06

[9]

多晶硅的刻蚀方法 [P].

陈敏杰 ;

许进 ;

唐在峰 ;

任昱 .

中国专利 :CN114038739A ,2022-02-11

[10]

多晶硅的刻蚀方法 [P].

洪中山 ;

金贤在 .

中国专利 :CN101308787A ,2008-11-19

← 1 2 3 4 5 →