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沟槽栅功率MOSFET及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010076557.9
申请日：
2020-01-23
公开(公告)号：
CN111276540A
公开(公告)日：
2020-06-12
发明(设计)人：
张永熙
陈伟
黄海涛
申请人：
申请人地址：
201306 上海市浦东新区南汇新城镇海洋一路333号8号楼3楼
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L29423
H01L2916
H01L2104
代理机构：
上海华诚知识产权代理有限公司 31300
代理人：
肖华
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-07-07 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200123 |
| 2020-06-12 | 公开 | 公开 |