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一种分离栅沟槽型MOSFET及其制备方法、芯片
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311848200.8
申请日：
2023-12-29
公开(公告)号：
CN117497602B
公开(公告)日：
2024-04-19
发明(设计)人：
贺俊杰
申请人：
深圳天狼芯半导体有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/04
H01L29/06
H01L29/165
H01L21/336
代理机构：
深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414
代理人：
阳方玉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
广东省
深圳市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-02-23 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20231229 |
| 2024-02-02 | 公开 | 公开 |
| 2024-04-19 | 授权 | 授权 |