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半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110049797.4
申请日：
2021-01-14
公开(公告)号：
CN112820636B
公开(公告)日：
2024-01-16
发明(设计)人：
王颖慧
罗晓菊
特洛伊·乔纳森·贝克
申请人：
镓特半导体科技（上海）有限公司
申请人地址：
200135 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区新城路2号23幢N1128室
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
H01L21/78
H01L29/06
H01L29/20
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
史治法
法律状态：
授权
国省代码：
内蒙古自治区
呼和浩特市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-01-16 | 授权 | 授权 |