半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210252574.2

申请日：

2022-03-10

公开(公告)号：

CN115148577B

公开(公告)日：

2025-11-28

发明(设计)人：

王颖慧罗晓菊唐金凤

申请人：

镓特半导体科技（上海）有限公司

申请人地址：

200135 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区新城路2号23幢N1128室

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/683 C23C16/01 C23C16/04 C23C16/30

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

史治法

法律状态：

授权

国省代码：

内蒙古自治区呼和浩特市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-28	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 [P].

王颖慧 ;

罗晓菊 ;

唐金凤 .

中国专利 :CN115148577A ,2022-10-04

[2]

半导体结构、自支撑掺杂氮化镓层及其制备方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 ;

唐金凤 .

中国专利 :CN114649196B ,2025-12-12

[3]

半导体结构、自支撑掺杂氮化镓层及其制备方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 ;

唐金凤 .

中国专利 :CN114649196A ,2022-06-21

[4]

半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 [P].

王颖慧 ;

罗晓菊 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820636A ,2021-05-18

[5]

半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820632A ,2021-05-18

[6]

半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 [P].

王颖慧 ;

罗晓菊 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820634A ,2021-05-18

[7]

半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 [P].

王颖慧 ;

罗晓菊 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820634B ,2024-01-16

[8]

半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 [P].

王颖慧 ;

罗晓菊 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820636B ,2024-01-16

[9]

半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 [P].

王颖慧 ;

罗晓菊 ;

葛文伟 .

中国专利 :CN114743862B ,2025-12-12

[10]

半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 [P].

王颖慧 ;

罗晓菊 ;

葛文伟 .

中国专利 :CN114743862A ,2022-07-12

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