形成分裂栅存储器单元的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910588914.7

申请日：

2019-07-02

公开(公告)号：

CN112185970B

公开(公告)日：

2024-05-28

发明(设计)人：

邢精成 C.王 G.Y.刘刁颖 X.刘 N.杜

申请人：

硅存储技术公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H10B41/30

IPC分类号：

H01L21/28

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

李雪娜;闫小龙

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-28	授权	授权

共 50 条

[1]

形成分裂栅存储器单元的方法 [P].

邢精成 ;

C.王 ;

G.Y.刘 ;

刁颖 ;

X.刘 ;

N.杜 .

中国专利 :CN112185970A ,2021-01-05

[2]

形成分裂栅闪存存储器单元的方法 [P].

C.王 ;

X.刘 ;

N.杜 ;

邢精成 ;

G.Y.刘 ;

刁颖 .

美国专利 :CN112185815B ,2024-07-23

[3]

形成低高度分裂栅存储器单元的方法 [P].

C-S.苏 ;

J-W.杨 ;

M-T.吴 ;

C-M.陈 ;

H.V.陈 ;

N.杜 .

中国专利 :CN109699188B ,2019-04-30

[4]

制造分裂栅存储器单元的方法 [P].

M·T·赫里克 ;

张克民 ;

G·L·达洛尔 ;

姜盛泽 .

中国专利 :CN102187455A ,2011-09-14

[5]

分裂栅非易失性存储器单元 [P].

B·A·温斯蒂亚德 ;

洪全敏 ;

姜盛泽 ;

K·V·洛伊寇 ;

J·A·耶特 .

中国专利 :CN104347518B ,2015-02-11

[6]

形成分裂栅存储器单元阵列及低和高电压逻辑器件的方法 [P].

M-T.吴 ;

J-W.杨 ;

C.苏 ;

C-M.陈 ;

N.杜 .

中国专利 :CN107251199A ,2017-10-13

[7]

分裂栅存储器单元结构的方法及结构 [P].

洪庄敏 ;

康承泰 .

中国专利 :CN104253051B ,2014-12-31

[8]

可伸缩分裂栅存储器单元阵列 [P].

简·A·耶特 ;

洪庄敏 ;

康承泰 ;

罗纳德·J·希兹德克 .

中国专利 :CN104134670B ,2014-11-05

[9]

高密度分裂栅存储器单元 [P].

N.杜 ;

X.刘 ;

V.蒂瓦里 ;

H.V.陈 .

中国专利 :CN107210203B ,2017-09-26

[10]

编程具有擦除栅的分裂栅闪存存储器单元的方法 [P].

Y·卡其夫 ;

A·柯多夫 ;

N·多 .

中国专利 :CN112585680A ,2021-03-30

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