编程具有擦除栅的分裂栅闪存存储器单元的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980054482.X

申请日：

2019-07-09

公开(公告)号：

CN112585680A

公开(公告)日：

2021-03-30

发明(设计)人：

Y·卡其夫 A·柯多夫 N·多

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G11C1604

IPC分类号：

G11C1610

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陈斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-30	公开	公开
2021-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/04 申请日:20190709
2021-12-14	授权	授权

共 50 条

[1]

具有浮栅、字线、擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元 [P].

J-W.杨 ;

M-T.吴 ;

C-M.陈 ;

M.塔达约尼 ;

C-S.苏 ;

N.杜 .

中国专利 :CN107851657B ,2018-03-27

[2]

形成分裂栅闪存存储器单元的方法 [P].

C.王 ;

X.刘 ;

N.杜 ;

邢精成 ;

G.Y.刘 ;

刁颖 .

美国专利 :CN112185815B ,2024-07-23

[3]

制造分裂栅存储器单元的方法 [P].

M·T·赫里克 ;

张克民 ;

G·L·达洛尔 ;

姜盛泽 .

中国专利 :CN102187455A ,2011-09-14

[4]

抑制擦除分裂栅闪存存储器单元扇区的部分的系统和方法 [P].

J·金 ;

N·杜 ;

Y·特卡彻夫 ;

余启文 ;

钱晓州 ;

白宁 .

中国专利 :CN105609131A ,2016-05-25

[5]

具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅双位非易失性存储器单元及其制备方法 [P].

王春明 ;

X·刘 ;

宋国祥 ;

邢精成 ;

N·多 .

中国专利 :CN114335185A ,2022-04-12

[6]

具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅双位非易失性存储器单元及其制备方法 [P].

王春明 ;

X·刘 ;

宋国祥 ;

邢精成 ;

N·多 .

美国专利 :CN114335185B ,2025-07-18

[7]

具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元及其制备方法 [P].

王春明 ;

X·刘 ;

宋国祥 ;

邢精成 ;

N·多 .

美国专利 :CN114335186B ,2025-02-07

[8]

具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元及其制备方法 [P].

王春明 ;

X·刘 ;

宋国祥 ;

邢精成 ;

N·多 .

中国专利 :CN114335186A ,2022-04-12

[9]

具有字节擦除操作的四栅分栅式闪存存储器阵列 [P].

梁轩 ;

吴满堂 ;

杨任伟 ;

张立欣 ;

H·V·特兰 ;

N·多 .

中国专利 :CN114616625A ,2022-06-10

[10]

具有字节擦除操作的四栅分栅式闪存存储器阵列 [P].

梁轩 ;

吴满堂 ;

杨任伟 ;

张立欣 ;

H·V·特兰 ;

N·多 .

美国专利 :CN114616625B ,2024-12-17

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