具有浮栅、字线、擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680040486.9

申请日：

2016-06-17

公开(公告)号：

CN107851657B

公开(公告)日：

2018-03-27

发明(设计)人：

J-W.杨 M-T.吴 C-M.陈 M.塔达约尼 C-S.苏 N.杜

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L29788 H01L2711521 H01L2711524 H01L21336 H01L2128 G11C1626

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

胡莉莉;郑冀之

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-27	公开	公开
2018-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20160617
2021-04-20	授权	授权

共 50 条

[1]

具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元及其制备方法 [P].

王春明 ;

X·刘 ;

宋国祥 ;

邢精成 ;

N·多 .

美国专利 :CN114335186B ,2025-02-07

[2]

具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元及其制备方法 [P].

王春明 ;

X·刘 ;

宋国祥 ;

邢精成 ;

N·多 .

中国专利 :CN114335186A ,2022-04-12

[3]

具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅双位非易失性存储器单元及其制备方法 [P].

王春明 ;

X·刘 ;

宋国祥 ;

邢精成 ;

N·多 .

中国专利 :CN114335185A ,2022-04-12

[4]

具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅双位非易失性存储器单元及其制备方法 [P].

王春明 ;

X·刘 ;

宋国祥 ;

邢精成 ;

N·多 .

美国专利 :CN114335185B ,2025-07-18

[5]

分裂栅非易失性存储器单元 [P].

B·A·温斯蒂亚德 ;

洪全敏 ;

姜盛泽 ;

K·V·洛伊寇 ;

J·A·耶特 .

中国专利 :CN104347518B ,2015-02-11

[6]

带有增强的浮栅到浮栅电容耦合的FINFET分裂栅非易失性存储器单元 [P].

F·周 ;

X·刘 ;

S·莱姆克 ;

H·V·特兰 ;

N·多 .

中国专利 :CN115335996A ,2022-11-11

[7]

具有自对准的浮栅和擦除栅的非易失性存储器单元及其制造方法 [P].

N.杜 ;

J.金 ;

X.刘 .

中国专利 :CN105122455A ,2015-12-02

[8]

具有自对准的浮栅和擦除栅的非易失性存储器单元及其制造方法 [P].

B.陈 ;

C.苏 ;

N.杜 .

中国专利 :CN106415851B ,2017-02-15

[9]

编程具有擦除栅的分裂栅闪存存储器单元的方法 [P].

Y·卡其夫 ;

A·柯多夫 ;

N·多 .

中国专利 :CN112585680A ,2021-03-30

[10]

浮栅非易失性存储器 [P].

林丰 ;

中西章滋 ;

五岛澄隆 .

中国专利 :CN100539155C ,2006-02-15

← 1 2 3 4 5 →