具有自对准的浮栅和擦除栅的非易失性存储器单元及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480021799.0

申请日：

2014-04-16

公开(公告)号：

CN105122455A

公开(公告)日：

2015-12-02

发明(设计)人：

N.杜 J.金 X.刘

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2966 H01L29788 H01L27115

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

申屠伟进;王传道

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101640133687 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2014800217990 申请日:20140416
2015-12-02	公开	公开
2018-04-17	授权	授权

共 50 条

[1]

具有自对准的浮栅和擦除栅的非易失性存储器单元及其制造方法 [P].

B.陈 ;

C.苏 ;

N.杜 .

中国专利 :CN106415851B ,2017-02-15

[2]

具有浮栅、字线、擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元 [P].

J-W.杨 ;

M-T.吴 ;

C-M.陈 ;

M.塔达约尼 ;

C-S.苏 ;

N.杜 .

中国专利 :CN107851657B ,2018-03-27

[3]

具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元及其制备方法 [P].

王春明 ;

X·刘 ;

宋国祥 ;

邢精成 ;

N·多 .

美国专利 :CN114335186B ,2025-02-07

[4]

具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元及其制备方法 [P].

王春明 ;

X·刘 ;

宋国祥 ;

邢精成 ;

N·多 .

中国专利 :CN114335186A ,2022-04-12

[5]

具有带改进耦合比的浮栅和耦合栅的非易失性存储器单元 [P].

王春明 ;

乔保卫 ;

张祖发 ;

章仪 ;

王序伦 ;

吕文瑞 .

中国专利 :CN102969346A ,2013-03-13

[6]

分栅型埋入式浮栅的非易失性存储器及其制造方法 [P].

江红 .

中国专利 :CN101770991B ,2010-07-07

[7]

具有埋置的选择栅的非易失性存储器单元及其制造方法 [P].

N·杜 ;

H·冯·特兰 ;

A·利瓦伊 .

中国专利 :CN101752385A ,2010-06-23

[8]

具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅双位非易失性存储器单元及其制备方法 [P].

王春明 ;

X·刘 ;

宋国祥 ;

邢精成 ;

N·多 .

中国专利 :CN114335185A ,2022-04-12

[9]

具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅双位非易失性存储器单元及其制备方法 [P].

王春明 ;

X·刘 ;

宋国祥 ;

邢精成 ;

N·多 .

美国专利 :CN114335185B ,2025-07-18

[10]

分栅型埋入式浮栅的非易失性存储器的制造方法 [P].

江红 ;

李冰寒 .

中国专利 :CN101777520A ,2010-07-14

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