带有增强的浮栅到浮栅电容耦合的FINFET分裂栅非易失性存储器单元

被引：0

申请号：

CN202080098756.8

申请日：

2020-10-14

公开(公告)号：

CN115335996A

公开(公告)日：

2022-11-11

发明(设计)人：

F·周 X·刘 S·莱姆克 H·V·特兰 N·多

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2711524

IPC分类号：

H01L29423 H01L2966

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

蔡悦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11524 申请日:20201014
2022-11-11	公开	公开

共 50 条

[1]

具有浮栅、字线、擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元 [P].

J-W.杨 ;

M-T.吴 ;

C-M.陈 ;

M.塔达约尼 ;

C-S.苏 ;

N.杜 .

中国专利 :CN107851657B ,2018-03-27

[2]

具有带改进耦合比的浮栅和耦合栅的非易失性存储器单元 [P].

王春明 ;

乔保卫 ;

张祖发 ;

章仪 ;

王序伦 ;

吕文瑞 .

中国专利 :CN102969346A ,2013-03-13

[3]

分裂栅非易失性存储器单元 [P].

B·A·温斯蒂亚德 ;

洪全敏 ;

姜盛泽 ;

K·V·洛伊寇 ;

J·A·耶特 .

中国专利 :CN104347518B ,2015-02-11

[4]

浮栅非易失性存储器 [P].

林丰 ;

中西章滋 ;

五岛澄隆 .

中国专利 :CN100539155C ,2006-02-15

[5]

在专用沟槽中具有浮栅的非易失性存储器单元 [P].

邢精成 ;

刘国勇 ;

X·刘 ;

王春明 ;

刁颖 ;

N·杜 .

中国专利 :CN110021602A ,2019-07-16

[6]

具有竖直浮栅的NOR存储器单元 [P].

叶炳辉 .

中国专利 :CN111149189A ,2020-05-12

[7]

分栅型埋入式浮栅的非易失性存储器的制造方法 [P].

江红 ;

李冰寒 .

中国专利 :CN101777520A ,2010-07-14

[8]

通过使用增强的横向控制栅与浮栅耦合而改进缩放的分裂栅闪存单元 [P].

J.杨 ;

M.吴 ;

C.陈 ;

C.苏 ;

N.杜 .

中国专利 :CN106575656A ,2017-04-19

[9]

衬底沟槽中具有浮栅的双位非易失性存储器单元 [P].

王春明 ;

刘国勇 ;

X.刘 ;

邢精成 ;

刁颖 ;

N.杜 .

中国专利 :CN110010606A ,2019-07-12

[10]

分栅型埋入式浮栅的非易失性存储器及其制造方法 [P].

江红 .

中国专利 :CN101770991B ,2010-07-07

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