浮栅非易失性存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510069780.6

申请日：

2005-03-30

公开(公告)号：

CN100539155C

公开(公告)日：

2006-02-15

发明(设计)人：

林丰中西章滋五岛澄隆

申请人：

申请人地址：

日本千叶县

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

H01L29788 H01L2182

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

刘红;梁永

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-09	授权	授权
2016-04-20	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101731277222 IPC(主分类):H01L 27/105 专利号:ZL2005100697806 登记生效日:20160331 变更事项:专利权人变更前权利人:精工电子有限公司变更后权利人:精工半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本千叶县变更后权利人:日本千叶县变更事项:专利权人变更前权利人:林丰变更后权利人:林丰
2022-03-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/105 申请日:20050330 授权公告日:20090909 终止日期:20210330
2007-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-02-15	公开	公开
2018-05-01	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/105 变更事项:专利权人变更前:精工半导体有限公司变更后:艾普凌科有限公司变更事项:地址变更前:日本千叶县变更后:日本千叶县变更事项:共同专利权人变更前:林丰变更后:林丰

共 50 条

[1]

三维单浮栅非易失性存储器装置 [P].

王立中 .

中国专利 :CN103715198B ,2014-04-09

[2]

浮栅非易失性存储器和制造这种器件的方法 [P].

G·J·M·多尔曼斯 ;

R·D·J·维哈尔 ;

R·库彭斯 .

中国专利 :CN1193414A ,1998-09-16

[3]

具有浮栅、字线、擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元 [P].

J-W.杨 ;

M-T.吴 ;

C-M.陈 ;

M.塔达约尼 ;

C-S.苏 ;

N.杜 .

中国专利 :CN107851657B ,2018-03-27

[4]

金属浮栅在非易失性存储器中的集成 [P].

F.周 ;

X.刘 ;

J-W.杨 ;

N.杜 .

中国专利 :CN108292516A ,2018-07-17

[5]

分裂栅非易失性存储器单元 [P].

B·A·温斯蒂亚德 ;

洪全敏 ;

姜盛泽 ;

K·V·洛伊寇 ;

J·A·耶特 .

中国专利 :CN104347518B ,2015-02-11

[6]

分裂栅型非易失性存储器器件及其制造方法 [P].

郑真孝 .

中国专利 :CN1929143A ,2007-03-14

[7]

非易失性存储器 [P].

春日和则 .

中国专利 :CN101751996A ,2010-06-23

[8]

非易失性存储器 [P].

山本伸一 ;

小川一文 ;

美浓规央 .

中国专利 :CN100502007C ,2005-03-16

[9]

带有增强的浮栅到浮栅电容耦合的FINFET分裂栅非易失性存储器单元 [P].

F·周 ;

X·刘 ;

S·莱姆克 ;

H·V·特兰 ;

N·多 .

中国专利 :CN115335996A ,2022-11-11

[10]

非易失性存储器器件和包括该器件的非易失性存储器系统 [P].

高獍鍲 ;

李明勋 ;

郭判硕 ;

边大锡 .

中国专利 :CN114639680A ,2022-06-17

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