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掩膜层结构及其形成方法及半导体结构的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410131677.2
申请日：
2024-01-30
公开(公告)号：
CN117954310A
公开(公告)日：
2024-04-30
发明(设计)人：
吴永玉
高大为
汪翼鹏
申请人：
浙江创芯集成电路有限公司
申请人地址：
311200 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设三路733号
IPC主分类号：
H01L21/033
IPC分类号：
H01L21/027
H10B41/27
H10B43/27
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
吴敏
法律状态：
公开
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-04-30 | 公开 | 公开 |
| 2024-05-17 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/033申请日:20240130 |