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掩膜结构的形成方法及半导体结构的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310965685.2
申请日：
2023-07-31
公开(公告)号：
CN119480623A
公开(公告)日：
2025-02-18
发明(设计)人：
张家云
吕晖
吴小鹏
申请人：
长鑫科技集团股份有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L21/033
IPC分类号：
H01L21/308
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-10-03 | 授权 | 授权 |
| 2025-03-07 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/033申请日:20230731 |
| 2025-02-18 | 公开 | 公开 |