二维非层状插层CuCrSe<sub>2</sub>晶体材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410163300.5

申请日：

2024-02-05

公开(公告)号：

CN117947503A

公开(公告)日：

2024-04-30

发明(设计)人：

周家东王岱楠董伟康赵洋王平

申请人：

北京理工大学

申请人地址：

100081 北京市海淀区中关村南大街5号

IPC主分类号：

C30B25/00

IPC分类号：

C30B29/46

代理机构：

北京毕科锐森知识产权代理事务所(普通合伙) 11877

代理人：

王静;陶涛

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-30	公开	公开
2024-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/00申请日:20240205

共 50 条

[1]

一种Cr<sub>3</sub>Te<sub>4</sub>非层状二维材料及其制备和应用 [P].

段曦东 ;

黎博 ;

李百灵 .

中国专利 :CN114775049B ,2024-09-03

[2]

一种二维材料扭角MoS<sub>2</sub>的制备及二维材料扭角MoS<sub>2</sub> [P].

许曼章 ;

纪洪嘉 ;

骆磊 ;

张晓杉 ;

王学文 ;

郑璐 ;

黄维 .

中国专利 :CN114959637B ,2024-05-28

[3]

一种二维材料扭角WS<sub>2</sub>的制备及二维材料扭角WS<sub>2</sub> [P].

许曼章 ;

纪洪嘉 ;

张晓杉 ;

骆磊 ;

王学文 ;

郑璐 ;

黄维 .

中国专利 :CN114990523B ,2024-04-26

[4]

一种二维三元非层状碲锌镉晶体材料及其制备方法 [P].

赵梅 ;

张礼杰 ;

雷敏婷 ;

张克难 ;

尤胜东 .

中国专利 :CN118516756A ,2024-08-20

[5]

一种非层状二维材料及其制备方法与应用 [P].

刘碧录 ;

谭隽阳 ;

李晟楠 ;

王经纬 ;

成会明 .

中国专利 :CN115094397A ,2022-09-23

[6]

一种二维Cs<sub>2</sub>SnI<sub>6</sub>晶体的化学气相沉积制备方法及其应用 [P].

赵梅 ;

张礼杰 ;

谢军 ;

邹超 ;

金辉乐 ;

王舜 .

中国专利 :CN118028971A ,2024-05-14

[7]

一种二维非层状镍单质晶体材料及其制备方法 [P].

赵梅 ;

张礼杰 ;

雷敏婷 ;

张克难 .

中国专利 :CN118531499A ,2024-08-23

[8]

一种非层状二维PbSe晶体材料及其制备方法 [P].

周兴 ;

张逊 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN111304747A ,2020-06-19

[9]

一种二维MoSe<sub>2</sub>、光电探测器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

王岩松 ;

李国强 .

中国专利 :CN117448777A ,2024-01-26

[10]

制备二维纳米Cs<sub>3</sub>Cu<sub>2</sub>I<sub>5</sub>晶体材料的方法及其应用 [P].

张骐 ;

吕嘉楠 ;

李馨 ;

徐旻轩 ;

郑鑫 ;

史月琴 ;

孔哲 .

中国专利 :CN113957527B ,2024-03-15

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