一种Cr<sub>3</sub>Te<sub>4</sub>非层状二维材料及其制备和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210370526.3

申请日：

2022-04-10

公开(公告)号：

CN114775049B

公开(公告)日：

2024-09-03

发明(设计)人：

段曦东黎博李百灵

申请人：

湖南大学

申请人地址：

410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号

IPC主分类号：

C30B25/16

IPC分类号：

C30B25/18 C30B29/46 C30B29/64 H10N52/85 H10N52/00 B82Y30/00 B82Y40/00

代理机构：

长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114

代理人：

盛武生

法律状态：

授权

国省代码：

湖南省长沙市

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-03	授权	授权

共 50 条

[1]

一种Cr3Te4非层状二维材料及其制备和应用 [P].

段曦东 ;

黎博 ;

李百灵 .

中国专利 :CN114775049A ,2022-07-22

[2]

一种Cr<sub>5</sub>Si<sub>3</sub>非层状二维材料及其制备和应用 [P].

段曦东 ;

黎博 ;

李百灵 .

中国专利 :CN116040636B ,2025-02-14

[3]

铁插层Fe<sub>3</sub>Se<sub>4</sub>非层状二维材料及其制备和在磁学器件中的应用 [P].

段曦东 ;

姜雅妮 ;

张红梅 .

中国专利 :CN118272779A ,2024-07-02

[4]

一种Se-Cr<sub>2</sub>S<sub>3</sub>二维材料、制备方法及应用 [P].

黎博 ;

周欣芸 ;

段曦东 .

中国专利 :CN114497196B ,2024-06-18

[5]

二维非层状插层CuCrSe<sub>2</sub>晶体材料及其制备方法 [P].

周家东 ;

王岱楠 ;

董伟康 ;

赵洋 ;

王平 .

中国专利 :CN117947503A ,2024-04-30

[6]

Co<sub>2</sub>Si单晶二维材料及其制备和应用 [P].

段曦东 ;

刘嘉玲 ;

李佳 ;

万思 .

中国专利 :CN117822123A ,2024-04-05

[7]

一种Mo<sub>2</sub>CT<sub>x</sub>二维材料及其制备方法和应用 [P].

宋礼 ;

许翰宸 ;

王昌达 ;

闫紫薇 .

中国专利 :CN119591110A ,2025-03-11

[8]

一种超短沟道VSe<sub>2</sub>-WSe<sub>2</sub>二维材料及其制备和应用 [P].

段曦东 ;

吴瑞霞 .

中国专利 :CN113990737B ,2025-08-26

[9]

一种二维铁磁单晶Cr<sub>1-x</sub>V<sub>x</sub>I<sub>3</sub>及其制备方法和应用 [P].

张颖 ;

全桂英 ;

屈哲 .

中国专利 :CN119177493A ,2024-12-24

[10]

一种Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>/In<sub>4</sub>SnS<sub>8</sub>复合材料及其制备方法和应用 [P].

周彤 ;

庞欣 ;

薛世翔 ;

赵亮 ;

吴攀 ;

雷琬莹 .

中国专利 :CN115337944B ,2024-07-02

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