一种Cr3Te4非层状二维材料及其制备和应用

被引：0

申请号：

CN202210370526.3

申请日：

2022-04-10

公开(公告)号：

CN114775049A

公开(公告)日：

2022-07-22

发明(设计)人：

段曦东黎博李百灵

申请人：

申请人地址：

410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号

IPC主分类号：

C30B2516

IPC分类号：

C30B2518 C30B2946 C30B2964 H01L4306 H01L4310 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114

代理人：

盛武生

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-22	公开	公开
2022-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/16 申请日:20220410

共 50 条

[1]

一种Cr<sub>3</sub>Te<sub>4</sub>非层状二维材料及其制备和应用 [P].

段曦东 ;

黎博 ;

李百灵 .

中国专利 :CN114775049B ,2024-09-03

[2]

一种Cr<sub>5</sub>Si<sub>3</sub>非层状二维材料及其制备和应用 [P].

段曦东 ;

黎博 ;

李百灵 .

中国专利 :CN116040636B ,2025-02-14

[3]

一种非层状二维材料及其制备方法与应用 [P].

刘碧录 ;

谭隽阳 ;

李晟楠 ;

王经纬 ;

成会明 .

中国专利 :CN115094397A ,2022-09-23

[4]

一种二维层状材料及其制备方法和应用 [P].

丘陵 ;

刘闽苏 ;

成会明 ;

范维仁 ;

丁斯远 .

中国专利 :CN113264510A ,2021-08-17

[5]

一种二氧化钼非层状二维材料及其制备和在磁性器件中的应用 [P].

段曦东 ;

张红梅 .

中国专利 :CN116288248B ,2025-09-19

[6]

二维材料及其制备方法和应用 [P].

成会明 ;

丘陵 ;

刘闽苏 ;

范维仁 .

中国专利 :CN112978688A ,2021-06-18

[7]

一种二维层状GeP材料及其制备方法和应用 [P].

夏芳芳 ;

翟天佑 ;

张悦 ;

王发坤 .

中国专利 :CN111320153B ,2020-06-23

[8]

二维层状锑负极材料、二维锑烯材料及其制备方法和应用 [P].

霍开富 ;

冯浩秦 ;

郭思广 ;

高标 .

中国专利 :CN114472902B ,2024-01-26

[9]

二维层状锑负极材料、二维锑烯材料及其制备方法和应用 [P].

霍开富 ;

冯浩秦 ;

郭思广 ;

高标 .

中国专利 :CN114472902A ,2022-05-13

[10]

α-GeTe二维材料及其PVD制备方法和应用 [P].

段曦东 ;

李威 ;

吴瑞霞 .

中国专利 :CN114725187B ,2025-09-09

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