一种二氧化钼非层状二维材料及其制备和在磁性器件中的应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310061522.1

申请日：

2023-01-18

公开(公告)号：

CN116288248B

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

段曦东张红梅

申请人：

湖南大学

申请人地址：

410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门

IPC主分类号：

C23C16/40

IPC分类号：

C23C16/44 H10N52/00

代理机构：

长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114

代理人：

盛武生

法律状态：

授权

国省代码：

湖南省长沙市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种二维非层状二氧化钼及其制备方法 [P].

魏丛 ;

林祥成 ;

许群 .

中国专利 :CN109368700A ,2019-02-22

[2]

二氧化钼耦合镍颗粒网络材料及其制备和在HER中的应用 [P].

周言根 ;

陈健 ;

李振华 ;

赖延清 ;

王梦然 ;

李思敏 ;

方静 .

中国专利 :CN118685818A ,2024-09-24

[3]

一种二氧化钼/二氧化钛纳米复合材料及其制备方法和应用 [P].

杨笛 ;

瞿钰松 ;

张曼曼 .

中国专利 :CN113493221A ,2021-10-12

[4]

一种Cr3Te4非层状二维材料及其制备和应用 [P].

段曦东 ;

黎博 ;

李百灵 .

中国专利 :CN114775049A ,2022-07-22

[5]

一种二氧化钼-碳化钼复合材料及其制备方法和应用 [P].

欧阳柳章 ;

陈沛荣 ;

王辉 ;

朱敏 .

中国专利 :CN113716608B ,2021-11-30

[6]

一种非晶二氧化硅二维材料及其制备方法 [P].

赵婕 ;

袁群瑶 .

中国专利 :CN118270794B ,2025-03-04

[7]

一种非晶二氧化硅二维材料及其制备方法 [P].

赵婕 ;

袁群瑶 .

中国专利 :CN118270794A ,2024-07-02

[8]

一种二氧化钼的制备方法 [P].

唐军利 .

中国专利 :CN109399721A ,2019-03-01

[9]

一种二硫化钼包覆二氧化钼负极材料及其制备方法和应用 [P].

李光辉 ;

孙虎 ;

彭志伟 ;

罗骏 ;

饶明军 ;

姜涛 ;

蒋昊 ;

石大鹏 ;

卜群真 ;

张鑫 .

中国专利 :CN111755672A ,2020-10-09

[10]

一种二氧化钼纳米光热转换材料及其制备方法和应用 [P].

邹友生 ;

李举彬 ;

窦康 ;

曾海波 ;

刘佳欣 .

中国专利 :CN106938857A ,2017-07-11

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