一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410064584.2

申请日：

2024-01-17

公开(公告)号：

CN117577745B

公开(公告)日：

2024-03-26

发明(设计)人：

杨永添吴健周昭寅

申请人：

广州市尤特新材料有限公司

申请人地址：

510000 广东省广州市花都区花山镇华侨科技工业园华辉路4号

IPC主分类号：

H01L31/18

IPC分类号：

H01L31/0296 H01L21/388

代理机构：

广州一锐专利代理有限公司 44369

代理人：

周升铭

法律状态：

授权

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-26	授权	授权
2024-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/18申请日:20240117
2024-02-20	公开	公开

共 50 条

[1]

一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法 [P].

杨永添 ;

吴健 ;

周昭寅 .

中国专利 :CN117577745A ,2024-02-20

[2]

一种具有优异光电性能的碲化镉靶材的制备方法及碲化镉薄膜 [P].

周志宏 ;

周昭宇 ;

刘青雄 .

中国专利 :CN117585649A ,2024-02-23

[3]

一种具有优异光电性能的碲化镉靶材的制备方法及碲化镉薄膜 [P].

周志宏 ;

周昭宇 ;

刘青雄 .

中国专利 :CN117585649B ,2024-03-26

[4]

一种碲化镉薄膜电池 [P].

傅干华 ;

潘锦功 ;

彭寿 ;

马立云 ;

文秋香 ;

李永强 .

中国专利 :CN110707165B ,2020-01-17

[5]

一种沉积碲化镉薄膜设备及其沉积碲化镉薄膜的方法 [P].

蒋猛 ;

牛学鹏 ;

刘志强 .

中国专利 :CN103668078A ,2014-03-26

[6]

一种提升碲化镉电池性能的方法 [P].

彭寿 ;

马立云 ;

潘锦功 ;

傅干华 ;

赵雷 .

中国专利 :CN109801994A ,2019-05-24

[7]

碲化镉薄膜制备方法 [P].

吴小山 ;

吕斌 ;

符敏 ;

张凤鸣 .

中国专利 :CN102286741A ,2011-12-21

[8]

一种提高量产化碲化镉薄膜电池发电效率的方法 [P].

青汉森 ;

彭寿 ;

潘锦功 ;

傅干华 ;

蒋猛 ;

东冬冬 .

中国专利 :CN114725242A ,2022-07-08

[9]

一种碲化镉的制备方法 [P].

蒋文龙 ;

李家荣 ;

徐宝强 ;

杨斌 ;

刘大春 ;

李一夫 ;

田阳 ;

杨佳 ;

陈秀敏 ;

郁青春 ;

王飞 ;

孔令鑫 ;

熊恒 .

中国专利 :CN112194105B ,2021-01-08

[10]

一种柔性碲化镉薄膜电池 [P].

马立云 ;

彭寿 ;

潘锦功 ;

殷新建 ;

蒋猛 .

中国专利 :CN206460962U ,2017-09-01

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