一种具有优异光电性能的碲化镉靶材的制备方法及碲化镉薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410078481.1

申请日：

2024-01-19

公开(公告)号：

CN117585649B

公开(公告)日：

2024-03-26

发明(设计)人：

周志宏周昭宇刘青雄

申请人：

广州市尤特新材料有限公司

申请人地址：

510000 广东省广州市花都区花山镇华侨科技工业园华辉路4号

IPC主分类号：

C01B19/04

IPC分类号：

C23C14/06 C23C14/34

代理机构：

广州一锐专利代理有限公司 44369

代理人：

周升铭

法律状态：

授权

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-26	授权	授权
2024-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 19/04申请日:20240119
2024-02-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有优异光电性能的碲化镉靶材的制备方法及碲化镉薄膜 [P].

周志宏 ;

周昭宇 ;

刘青雄 .

中国专利 :CN117585649A ,2024-02-23

[2]

碲化镉薄膜制备方法 [P].

吴小山 ;

吕斌 ;

符敏 ;

张凤鸣 .

中国专利 :CN102286741A ,2011-12-21

[3]

一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法 [P].

杨永添 ;

吴健 ;

周昭寅 .

中国专利 :CN117577745A ,2024-02-20

[4]

一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法 [P].

杨永添 ;

吴健 ;

周昭寅 .

中国专利 :CN117577745B ,2024-03-26

[5]

一种导电碲化镉靶材的制备方法 [P].

周荣艳 ;

文崇斌 .

中国专利 :CN114956823B ,2024-02-27

[6]

一种沉积碲化镉薄膜设备及其沉积碲化镉薄膜的方法 [P].

蒋猛 ;

牛学鹏 ;

刘志强 .

中国专利 :CN103668078A ,2014-03-26

[7]

一种碲化镉靶材及其制备方法 [P].

罗海奇 ;

王鹏飞 ;

徐文娜 ;

植锐俊 ;

朱卓南 ;

文崇斌 ;

胡智向 .

中国专利 :CN119161186A ,2024-12-20

[8]

轻质柔性碲化镉薄膜的制备方法和轻质柔性碲化镉基片 [P].

武卫兵 ;

孔文韬 ;

厉承香 .

中国专利 :CN115274934B ,2025-02-14

[9]

一种碲化镉的制备方法 [P].

蒋文龙 ;

李家荣 ;

徐宝强 ;

杨斌 ;

刘大春 ;

李一夫 ;

田阳 ;

杨佳 ;

陈秀敏 ;

郁青春 ;

王飞 ;

孔令鑫 ;

熊恒 .

中国专利 :CN112194105B ,2021-01-08

[10]

一种碲化镉薄膜电池 [P].

傅干华 ;

潘锦功 ;

彭寿 ;

马立云 ;

文秋香 ;

李永强 .

中国专利 :CN110707165B ,2020-01-17

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