一种碲化镉靶材及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411265734.2

申请日：

2024-09-10

公开(公告)号：

CN119161186A

公开(公告)日：

2024-12-20

发明(设计)人：

罗海奇王鹏飞徐文娜植锐俊朱卓南文崇斌胡智向

申请人：

先导薄膜材料（广东）有限公司

申请人地址：

511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区

IPC主分类号：

C04B35/515

IPC分类号：

C04B35/622

代理机构：

清远市诺誉知识产权代理事务所(普通合伙) 44815

代理人：

黄迅

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-20	公开	公开
2025-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/515申请日:20240910

共 50 条

[1]

一种导电碲化镉靶材的制备方法 [P].

周荣艳 ;

文崇斌 .

中国专利 :CN114956823B ,2024-02-27

[2]

一种碲化镉掺杂靶材的制备方法 [P].

周荣艳 ;

岑立衡 ;

文崇斌 ;

童培云 .

中国专利 :CN114920561A ,2022-08-19

[3]

一种碲化镉靶材及其制备方法 [P].

范文涛 ;

朱刘 ;

胡智向 .

中国专利 :CN110127633A ,2019-08-16

[4]

一种碲硒镉靶材及其制备方法 [P].

周荣艳 ;

吴彩红 ;

文崇斌 .

中国专利 :CN113336549A ,2021-09-03

[5]

一种碲硒镉靶材、粉末及其制备方法 [P].

罗海奇 ;

徐文娜 ;

文崇斌 ;

朱卓南 .

中国专利 :CN118290151A ,2024-07-05

[6]

一种具有优异光电性能的碲化镉靶材的制备方法及碲化镉薄膜 [P].

周志宏 ;

周昭宇 ;

刘青雄 .

中国专利 :CN117585649A ,2024-02-23

[7]

一种具有优异光电性能的碲化镉靶材的制备方法及碲化镉薄膜 [P].

周志宏 ;

周昭宇 ;

刘青雄 .

中国专利 :CN117585649B ,2024-03-26

[8]

一种锑掺杂碲化镉靶材的制备方法 [P].

文崇斌 ;

朱刘 ;

童培云 .

中国专利 :CN117209278B ,2025-10-17

[9]

碲化镉薄膜制备方法及其使用的装置 [P].

刘志强 ;

蒋猛 ;

何吉刚 .

中国专利 :CN103820754A ,2014-05-28

[10]

一种碲化镉发电玻璃及其制备方法 [P].

刘庆平 ;

李良舵 ;

李春青 ;

王琪 ;

东冬冬 ;

赵雷 ;

蒋猛 ;

谈国芳 ;

李国慧 .

中国专利 :CN121038429A ,2025-11-28

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