半导体存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311278284.6

申请日：

2023-09-28

公开(公告)号：

CN117794241A

公开(公告)日：

2024-03-29

发明(设计)人：

罗载元金昶植宋俊和全智姬

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

弋桂芬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-29	公开	公开
2025-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20230928

共 50 条

[1]

半导体存储器件 [P].

长野能久 ;

田中圭介 ;

那须彻 .

中国专利 :CN1126175C ,2000-06-21

[2]

半导体存储器件 [P].

朴镇成 ;

李昇嬉 ;

卓容奭 ;

金东奎 ;

金俞琳 ;

金台原 ;

李东炫 .

韩国专利 :CN118382291A ,2024-07-23

[3]

半导体存储器件 [P].

金俊秀 ;

张成豪 .

韩国专利 :CN119545790A ,2025-02-28

[4]

半导体存储器件 [P].

李蕙兰 .

韩国专利 :CN119677095A ,2025-03-21

[5]

半导体存储器件 [P].

李泓浚 ;

金熙中 ;

李泫珍 ;

蔡熙载 .

韩国专利 :CN120076318A ,2025-05-30

[6]

半导体存储器件 [P].

李元锡 ;

李周昊 ;

金承贤 ;

郑宇齐 ;

赵珉熙 .

韩国专利 :CN118475114A ,2024-08-09

[7]

半导体存储器件 [P].

朴茁发 ;

宋在俊 ;

河宪俊 ;

朴桐湜 .

韩国专利 :CN118354600A ,2024-07-16

[8]

半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法 [P].

申永奉 ;

李知勋 ;

姜美惠 ;

罗峻熙 ;

南泌旭 ;

芮态基 .

韩国专利 :CN118382292A ,2024-07-23

[9]

半导体存储器件 [P].

郑在景 ;

柳民泰 ;

薛玹珠 ;

柳成原 ;

李元锡 ;

赵珉熙 ;

许栽硕 .

中国专利 :CN115346983A ,2022-11-15

[10]

半导体存储器件 [P].

申硕浩 ;

姜泰逵 ;

姜秉茂 ;

慎重赞 .

中国专利 :CN114171520A ,2022-03-11

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