半导体存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311566855.6

申请日：

2023-11-22

公开(公告)号：

CN118475114A

公开(公告)日：

2024-08-09

发明(设计)人：

李元锡李周昊金承贤郑宇齐赵珉熙

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

范心田;倪斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-09	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体存储器件 [P].

李洋熙 ;

金成垠 ;

姜昇芝 ;

金赫珉 ;

朴钟爀 ;

裵珍宇 ;

李东源 ;

韩珠妍 .

韩国专利 :CN120035136A ,2025-05-23

[2]

半导体存储器件 [P].

申硕浩 ;

姜泰逵 ;

姜秉茂 ;

慎重赞 .

中国专利 :CN114171520A ,2022-03-11

[3]

半导体存储器件 [P].

金亮阧 ;

朴相郁 ;

徐旻揆 ;

李建烨 ;

李到瑾 ;

洪定杓 .

韩国专利 :CN118265443A ,2024-06-28

[4]

半导体存储器件 [P].

长野能久 ;

田中圭介 ;

那须彻 .

中国专利 :CN1126175C ,2000-06-21

[5]

半导体存储器件 [P].

金俊秀 ;

张成豪 .

韩国专利 :CN119545790A ,2025-02-28

[6]

半导体存储器件 [P].

郑在景 ;

柳民泰 ;

薛玹珠 ;

柳成原 ;

李元锡 ;

赵珉熙 ;

许栽硕 .

中国专利 :CN115346983A ,2022-11-15

[7]

半导体存储器件 [P].

姜玧求 ;

金东泳 ;

金澈虎 ;

朴宰弘 ;

安瑞珍 ;

元硕载 .

韩国专利 :CN120282448A ,2025-07-08

[8]

半导体存储器件及其制造方法 [P].

辛承敃 ;

朴相俊 ;

安星柱 ;

朴基钟 ;

尹一永 .

韩国专利 :CN118382289A ,2024-07-23

[9]

半导体存储器件及其制造方法 [P].

宋映槿 ;

严祥训 ;

李镕珍 ;

赵珉熙 .

韩国专利 :CN118368887A ,2024-07-19

[10]

半导体存储器件 [P].

龙在天 ;

高大弘 .

韩国专利 :CN117956793A ,2024-04-30

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