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半导体存储器件及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311225843.7
申请日：
2023-09-21
公开(公告)号：
CN118368887A
公开(公告)日：
2024-07-19
发明(设计)人：
宋映槿 严祥训 李镕珍 赵珉熙
申请人：
三星电子株式会社
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人：
周祺;倪斌
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-07-19 公开 公开
2025-12-19 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20230921
共 50 条
[1]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
辛承敃 ;
朴相俊 ;
安星柱 ;
朴基钟 ;
尹一永 .
韩国专利 :CN118382289A ,2024-07-23
[2]
半导体存储器件 [P]. 
李元锡 ;
李周昊 ;
金承贤 ;
郑宇齐 ;
赵珉熙 .
韩国专利 :CN118475114A ,2024-08-09
[3]
半导体存储器件、半导体器件及其制造方法 [P]. 
岩田浩 ;
小仓孝之 ;
柴田晃秀 .
中国专利 :CN1574366A ,2005-02-02
[4]
存储器件、半导体器件及其制造方法 [P]. 
田尚勋 ;
金桢雨 ;
黄显相 ;
崔相武 .
中国专利 :CN1832204A ,2006-09-13
[5]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
朴南均 ;
崔康植 .
中国专利 :CN103165607A ,2013-06-19
[6]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
杉崎太郎 .
中国专利 :CN101061579A ,2007-10-24
[7]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
朴志焕 .
中国专利 :CN101630684A ,2010-01-20
[8]
半导体器件、存储器件及其形成方法 [P]. 
孙宏彰 ;
赖昇志 ;
杨子庆 ;
江昱维 ;
蒋国璋 .
中国专利 :CN113488541B ,2024-09-03
[9]
半导体器件、存储器件及其形成方法 [P]. 
孙宏彰 ;
赖昇志 ;
杨子庆 ;
江昱维 ;
蒋国璋 .
中国专利 :CN113488541A ,2021-10-08
[10]
半导体存储器件及其制造方法、半导体器件 [P]. 
松平将治 ;
寺井真之 .
中国专利 :CN103022037B ,2013-04-03
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