半导体存储器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311408738.7
申请日
2023-10-26
公开(公告)号
CN117956793A
公开(公告)日
2024-04-30
发明(设计)人
龙在天 高大弘
申请人
三星电子株式会社 延世大学校产学协力团
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H10B12/00
IPC分类号
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
弋桂芬
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体存储器件 [P]. 
崔贤根 ;
李基硕 ;
郑承宰 ;
慎重赞 ;
安泰炫 ;
郑文泳 ;
韩相然 .
中国专利 :CN114582869A ,2022-06-03
[2]
半导体存储器件 [P]. 
秋成旼 ;
金汶浚 ;
李准原 ;
崔允硕 ;
金益秀 .
韩国专利 :CN120264752A ,2025-07-04
[3]
半导体存储器件 [P]. 
申硕浩 ;
姜泰逵 ;
姜秉茂 ;
慎重赞 .
中国专利 :CN114171520A ,2022-03-11
[4]
半导体存储器件 [P]. 
金俊秀 ;
张成豪 .
韩国专利 :CN119545790A ,2025-02-28
[5]
半导体存储器件 [P]. 
李洋熙 ;
金成垠 ;
姜昇芝 ;
金赫珉 ;
朴钟爀 ;
裵珍宇 ;
李东源 ;
韩珠妍 .
韩国专利 :CN120035136A ,2025-05-23
[6]
半导体存储器件 [P]. 
金亮阧 ;
朴相郁 ;
徐旻揆 ;
李建烨 ;
李到瑾 ;
洪定杓 .
韩国专利 :CN118265443A ,2024-06-28
[7]
制造半导体存储器件的方法 [P]. 
金真范 ;
张星旭 ;
赵仁海 ;
金灿烂 ;
梁锡 ;
张诚桓 ;
韩秀彬 .
韩国专利 :CN120076319A ,2025-05-30
[8]
半导体存储器件 [P]. 
长野能久 ;
田中圭介 ;
那须彻 .
中国专利 :CN1126175C ,2000-06-21
[9]
半导体存储器件 [P]. 
郑承宰 ;
金哉勋 ;
朴光浩 ;
孙龙勋 .
中国专利 :CN113270413A ,2021-08-17
[10]
半导体存储器件 [P]. 
张志熏 ;
申树浩 ;
朴茁发 ;
张贤禹 ;
曹裕珍 .
韩国专利 :CN120659313A ,2025-09-16