半导体存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411580868.3

申请日：

2024-11-07

公开(公告)号：

CN120035136A

公开(公告)日：

2025-05-23

发明(设计)人：

李洋熙金成垠姜昇芝金赫珉朴钟爀裵珍宇李东源韩珠妍

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

H10D1/68

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王新华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-23	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体存储器件 [P].

申硕浩 ;

姜泰逵 ;

姜秉茂 ;

慎重赞 .

中国专利 :CN114171520A ,2022-03-11

[2]

半导体存储器件 [P].

崔贤根 ;

李基硕 ;

郑承宰 ;

慎重赞 ;

安泰炫 ;

郑文泳 ;

韩相然 .

中国专利 :CN114582869A ,2022-06-03

[3]

半导体存储器件 [P].

金亮阧 ;

朴相郁 ;

徐旻揆 ;

李建烨 ;

李到瑾 ;

洪定杓 .

韩国专利 :CN118265443A ,2024-06-28

[4]

制造半导体存储器件的方法 [P].

金真范 ;

张星旭 ;

赵仁海 ;

金灿烂 ;

梁锡 ;

张诚桓 ;

韩秀彬 .

韩国专利 :CN120076319A ,2025-05-30

[5]

半导体存储器件 [P].

龙在天 ;

高大弘 .

韩国专利 :CN117956793A ,2024-04-30

[6]

半导体存储器件 [P].

秋成旼 ;

金汶浚 ;

李准原 ;

崔允硕 ;

金益秀 .

韩国专利 :CN120264752A ,2025-07-04

[7]

半导体存储器件 [P].

李元锡 ;

李周昊 ;

金承贤 ;

郑宇齐 ;

赵珉熙 .

韩国专利 :CN118475114A ,2024-08-09

[8]

半导体存储器件 [P].

长野能久 ;

田中圭介 ;

那须彻 .

中国专利 :CN1126175C ,2000-06-21

[9]

半导体存储器件 [P].

郑圭镐 .

中国专利 :CN113270546A ,2021-08-17

[10]

半导体存储器件 [P].

张志熏 ;

申树浩 ;

朴茁发 ;

张贤禹 ;

曹裕珍 .

韩国专利 :CN120659313A ,2025-09-16

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