基于二维半导体异质结的日盲紫外探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410073904.0

申请日：

2024-01-18

公开(公告)号：

CN117936617A

公开(公告)日：

2024-04-26

发明(设计)人：

邓惠雄于雅俐杨珏晗文宏玉刘力源魏钟鸣

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L31/101

IPC分类号：

H01L31/032 H01L31/18

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李婉婉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/101申请日:20240118
2024-04-26	公开	公开

共 50 条

[1]

铁电-半导体异质结型日盲紫外光电探测器及其制备方法 [P].

何云斌 ;

杨高琛 ;

陈剑 ;

卢寅梅 ;

黎明锴 ;

王紫慧 ;

毛佳兴 ;

程盈盈 .

中国专利 :CN114122187B ,2022-03-01

[2]

日盲紫外光电探测器及其制备方法 [P].

陈一仁 ;

张志伟 ;

周星宇 ;

孙晓娟 ;

黎大兵 ;

缪国庆 ;

蒋红 ;

宋航 .

中国专利 :CN114171634A ,2022-03-11

[3]

日盲紫外光电探测器及其制备方法 [P].

陈一仁 ;

张志伟 ;

周星宇 ;

孙晓娟 ;

黎大兵 ;

缪国庆 ;

蒋红 ;

宋航 .

中国专利 :CN114171634B ,2024-03-15

[4]

硅/二维半导体异质结型光电探测器及制备方法 [P].

李春 ;

王帅 ;

兰长勇 ;

何天应 ;

郭华阳 .

中国专利 :CN107611215B ,2018-01-19

[5]

一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法 [P].

潘江涌 ;

黄昱凌 ;

汪丽茜 ;

毛磊 .

中国专利 :CN115312618B ,2025-11-25

[6]

一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法 [P].

潘江涌 ;

黄昱凌 ;

汪丽茜 ;

毛磊 .

中国专利 :CN115312618A ,2022-11-08

[7]

梯度内建电场调控肖特基结日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

张洪良 ;

徐翔宇 ;

贺雅欣 ;

于悦 .

中国专利 :CN118352423A ,2024-07-16

[8]

日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法 [P].

朱锐 ;

梁会力 ;

王燕 ;

刘尧平 ;

梅增霞 .

中国专利 :CN113659020A ,2021-11-16

[9]

日盲紫外光电探测器及其制备方法 [P].

尚杰 ;

马腾飞 ;

汪玲 ;

王逸韬 ;

刘家麟 ;

李润伟 .

中国专利 :CN117476789A ,2024-01-30

[10]

基于β-Ga2O3/FTO异质结的日盲紫外光电探测器及其制备 [P].

王霞 ;

李培刚 ;

唐为华 .

中国专利 :CN109755341A ,2019-05-14

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