基于β-Ga2O3/FTO异质结的日盲紫外光电探测器及其制备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811488200.0
申请日
2018-12-06
公开(公告)号
CN109755341A
公开(公告)日
2019-05-14
发明(设计)人
王霞 李培刚 唐为华
申请人
申请人地址
101300 北京市顺义区仁和镇顺强路1号1幢2号
IPC主分类号
H01L31109
IPC分类号
H01L3118
代理机构
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人
王文君;陈征
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
基于β‑Ga2O3/NSTO异质结可零功耗工作的日盲紫外光电探测器及其制备方法 [P]. 
郭道友 ;
王顺利 ;
时浩泽 ;
吴杰涛 ;
李培刚 ;
唐为华 ;
沈静琴 .
中国专利 :CN106229373A ,2016-12-14
[2]
一种β‑Ga2O3基日盲紫外光电探测器阵列及其制备方法 [P]. 
唐为华 ;
彭阳科 .
中国专利 :CN107507876A ,2017-12-22
[3]
日盲紫外光电探测器及其制备方法 [P]. 
尚杰 ;
马腾飞 ;
汪玲 ;
王逸韬 ;
刘家麟 ;
李润伟 .
中国专利 :CN117476789A ,2024-01-30
[4]
日盲紫外光电探测器及其制备方法 [P]. 
陈一仁 ;
张志伟 ;
周星宇 ;
孙晓娟 ;
黎大兵 ;
缪国庆 ;
蒋红 ;
宋航 .
中国专利 :CN114171634A ,2022-03-11
[5]
日盲紫外光电探测器及其制备方法 [P]. 
陈一仁 ;
张志伟 ;
周星宇 ;
孙晓娟 ;
黎大兵 ;
缪国庆 ;
蒋红 ;
宋航 .
中国专利 :CN114171634B ,2024-03-15
[6]
一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法 [P]. 
潘江涌 ;
黄昱凌 ;
汪丽茜 ;
毛磊 .
中国专利 :CN115312618B ,2025-11-25
[7]
一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法 [P]. 
潘江涌 ;
黄昱凌 ;
汪丽茜 ;
毛磊 .
中国专利 :CN115312618A ,2022-11-08
[8]
一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法 [P]. 
郭道友 ;
秦新元 ;
王顺利 ;
时浩泽 ;
李培刚 ;
唐为华 ;
沈静琴 .
中国专利 :CN106409963B ,2017-02-15
[9]
基于α-Ga2O3/TiO2异质结的日盲紫外探测器及其制备方法 [P]. 
郭道友 ;
王顺利 ;
贺晨冉 ;
陶江伟 ;
张丽滢 ;
常裕鑫 .
中国专利 :CN111477699A ,2020-07-31
[10]
铁电-半导体异质结型日盲紫外光电探测器及其制备方法 [P]. 
何云斌 ;
杨高琛 ;
陈剑 ;
卢寅梅 ;
黎明锴 ;
王紫慧 ;
毛佳兴 ;
程盈盈 .
中国专利 :CN114122187B ,2022-03-01