基于α-Ga2O3/TiO2异质结的日盲紫外探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010296965.5

申请日：

2020-04-16

公开(公告)号：

CN111477699A

公开(公告)日：

2020-07-31

发明(设计)人：

郭道友王顺利贺晨冉陶江伟张丽滢常裕鑫

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市经济技术开发区浙江理工大学11号楼223-137

IPC主分类号：

H01L310224

IPC分类号：

H01L31032 H01L310352 H01L31036 H01L31109 H01L3118 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-29	授权	授权
2020-07-31	公开	公开
2020-08-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20200416

共 50 条

[1]

基于TiO2/Ga2O3纳米相结的柔性日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

王顺利 ;

陶江伟 ;

张丽滢 ;

徐金阳 ;

郭道友 ;

常裕鑫 .

中国专利 :CN112635587A ,2021-04-09

[2]

基于α/β-Ga2O3相结的自供电日盲紫外探测器 [P].

郭道友 .

中国专利 :CN109148159B ,2019-01-04

[3]

基于β‑Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法 [P].

王顺利 ;

安跃华 ;

郭道友 ;

李培刚 ;

钱银平 ;

王坤 ;

唐为华 .

中国专利 :CN105742398B ,2016-07-06

[4]

β-Ga2O3/GaN异质结日盲/可见盲双色紫外探测器及其制备方法 [P].

杨莲红 ;

张保花 ;

郭福强 .

中国专利 :CN111524995B ,2020-08-11

[5]

基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器 [P].

董志华 ;

周明 ;

曾春红 ;

林文魁 ;

王育天 ;

刘辉 ;

李仕琦 ;

刘国华 ;

程知群 .

中国专利 :CN111244203B ,2020-06-05

[6]

基于β-Ga2O3/FTO异质结的日盲紫外光电探测器及其制备 [P].

王霞 ;

李培刚 ;

唐为华 .

中国专利 :CN109755341A ,2019-05-14

[7]

一种Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

唐可 ;

刘尊 ;

黄浩斐 ;

邓洁 ;

王世琳 ;

王梦倩 ;

龚恒玥 ;

刘川 ;

黄健 ;

王林军 .

中国专利 :CN115642197A ,2023-01-24

[8]

基于非晶Ga2O3薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

李严波 ;

范泽宇 .

中国专利 :CN114725234A ,2022-07-08

[9]

一种基于Mg:β‑Ga2O3/NSTO异质结的零功耗日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

孙顺秋 .

中国专利 :CN106340551A ,2017-01-18

[10]

基于MgO钝化的非晶Ga2O3日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

李严波 ;

范泽宇 .

中国专利 :CN114823930A ,2022-07-29

← 1 2 3 4 5 →