基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010216434.0

申请日：

2020-03-25

公开(公告)号：

CN111244203B

公开(公告)日：

2020-06-05

发明(设计)人：

董志华周明曾春红林文魁王育天刘辉李仕琦刘国华程知群

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区

IPC主分类号：

H01L31032

IPC分类号：

H01L31109

代理机构：

浙江永鼎律师事务所 33233

代理人：

陆永强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-05	公开	公开
2020-06-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/032 申请日:20200325
2022-01-11	授权	授权

共 50 条

[1]

基于α-Ga2O3/TiO2异质结的日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

郭道友 ;

王顺利 ;

贺晨冉 ;

陶江伟 ;

张丽滢 ;

常裕鑫 .

中国专利 :CN111477699A ,2020-07-31

[2]

基于α/β-Ga2O3相结的自供电日盲紫外探测器 [P].

郭道友 .

中国专利 :CN109148159B ,2019-01-04

[3]

基于β‑Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法 [P].

王顺利 ;

安跃华 ;

郭道友 ;

李培刚 ;

钱银平 ;

王坤 ;

唐为华 .

中国专利 :CN105742398B ,2016-07-06

[4]

β-Ga2O3/GaN异质结日盲/可见盲双色紫外探测器及其制备方法 [P].

杨莲红 ;

张保花 ;

郭福强 .

中国专利 :CN111524995B ,2020-08-11

[5]

基于β-Ga2O3/FTO异质结的日盲紫外光电探测器及其制备 [P].

王霞 ;

李培刚 ;

唐为华 .

中国专利 :CN109755341A ,2019-05-14

[6]

基于β-Ga2O3单晶毫米级薄片的日盲紫外探测器 [P].

郭道友 ;

黄亚磊 ;

李培刚 ;

唐为华 .

中国专利 :CN109449219A ,2019-03-08

[7]

一种Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

唐可 ;

刘尊 ;

黄浩斐 ;

邓洁 ;

王世琳 ;

王梦倩 ;

龚恒玥 ;

刘川 ;

黄健 ;

王林军 .

中国专利 :CN115642197A ,2023-01-24

[8]

一种基于Mg:β‑Ga2O3/NSTO异质结的零功耗日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

孙顺秋 .

中国专利 :CN106340551A ,2017-01-18

[9]

基于TiO2/Ga2O3纳米相结的柔性日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

王顺利 ;

陶江伟 ;

张丽滢 ;

徐金阳 ;

郭道友 ;

常裕鑫 .

中国专利 :CN112635587A ,2021-04-09

[10]

基于非晶Ga2O3薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

李严波 ;

范泽宇 .

中国专利 :CN114725234A ,2022-07-08

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