电容器结构和包括该电容器结构的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311417245.X

申请日：

2023-10-27

公开(公告)号：

CN118055693A

公开(公告)日：

2024-05-17

发明(设计)人：

郑圭镐李真旭闵淙渶白智叡李叡璱

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10N97/00

IPC分类号：

H01L23/64 H10B12/00

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

张霞;周祺

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-17	公开	公开
2025-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 97/00申请日:20231027

共 50 条

[1]

电容器结构和包括电容器结构的半导体器件 [P].

赵天钦 ;

文瑄敏 ;

白东官 ;

蒋在完 .

韩国专利 :CN118610197A ,2024-09-06

[2]

电容器结构和包括该电容器结构的半导体器件 [P].

朴正敏 ;

林汉镇 ;

丁炯硕 .

韩国专利 :CN117747599A ,2024-03-22

[3]

电容器结构和包括该电容器结构的半导体器件 [P].

朴正敏 ;

全寅铎 ;

林汉镇 ;

丁炯硕 .

韩国专利 :CN117727742A ,2024-03-19

[4]

电容器结构和包括该电容器结构的半导体器件 [P].

权赫宇 ;

金汶浚 ;

李准原 ;

崔允硕 .

韩国专利 :CN117917950A ,2024-04-23

[5]

电容器结构和包括该电容器结构的半导体装置 [P].

朴正敏 ;

金海龙 ;

金润洙 ;

朴影根 .

中国专利 :CN112993158A ,2021-06-18

[6]

电容器结构和包括该电容器结构的半导体存储器件 [P].

郑圭镐 ;

姜相列 ;

金洙焕 ;

白东官 ;

辛瑜暻 ;

崔原湜 .

中国专利 :CN115588659A ,2023-01-10

[7]

电容器和包括该电容器的半导体装置 [P].

郑圭镐 ;

闵淙渶 ;

白智叡 ;

朴晙晳 ;

李叡璱 ;

李眞旭 .

韩国专利 :CN119012905A ,2024-11-22

[8]

电容器结构和包括该电容器结构的半导体装置 [P].

李珍秀 ;

姜政佑 ;

韩东旭 ;

金荷怜 ;

林义郎 .

韩国专利 :CN118382290A ,2024-07-23

[9]

电容器结构和包括该电容器结构的半导体封装件 [P].

李忠宰 .

韩国专利 :CN120341217A ,2025-07-18

[10]

电容器结构、包括其的半导体器件和制造电容器结构的方法 [P].

赵天钦 ;

白东官 ;

蒋在完 ;

金铉彬 ;

李峻硕 .

韩国专利 :CN120343927A ,2025-07-18

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