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电容器结构、包括其的半导体器件和制造电容器结构的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411371812.7
申请日：
2024-09-29
公开(公告)号：
CN120343927A
公开(公告)日：
2025-07-18
发明(设计)人：
赵天钦 白东官 蒋在完 金铉彬 李峻硕
申请人：
三星电子株式会社
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H10D1/68
IPC分类号：
H10B12/00
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
弋桂芬
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-18 公开 公开
共 50 条
[1]
电容器结构和包括电容器结构的半导体器件 [P]. 
赵天钦 ;
文瑄敏 ;
白东官 ;
蒋在完 .
韩国专利 :CN118610197A ,2024-09-06
[2]
电容器结构和包括该电容器结构的半导体器件 [P]. 
郑圭镐 ;
李真旭 ;
闵淙渶 ;
白智叡 ;
李叡璱 .
韩国专利 :CN118055693A ,2024-05-17
[3]
电容器结构和包括该电容器结构的半导体器件 [P]. 
朴正敏 ;
全寅铎 ;
林汉镇 ;
丁炯硕 .
韩国专利 :CN117727742A ,2024-03-19
[4]
电容器结构和包括该电容器结构的半导体器件 [P]. 
权赫宇 ;
金汶浚 ;
李准原 ;
崔允硕 .
韩国专利 :CN117917950A ,2024-04-23
[5]
电容器结构和包括该电容器结构的半导体器件 [P]. 
朴正敏 ;
林汉镇 ;
丁炯硕 .
韩国专利 :CN117747599A ,2024-03-22
[6]
包括电容器结构的半导体器件 [P]. 
白寅圭 ;
姜昑孝 ;
崔贤默 ;
洪淳亨 .
韩国专利 :CN119653783A ,2025-03-18
[7]
电容器结构和包括该电容器结构的半导体封装件 [P]. 
李忠宰 .
韩国专利 :CN120341217A ,2025-07-18
[8]
电容器和包括电容器的半导体器件 [P]. 
朴正敏 ;
金志星 ;
林汉镇 ;
丁炯硕 .
韩国专利 :CN118804678A ,2024-10-18
[9]
电容器结构和包括该电容器结构的半导体存储器件 [P]. 
郑圭镐 ;
姜相列 ;
金洙焕 ;
白东官 ;
辛瑜暻 ;
崔原湜 .
中国专利 :CN115588659A ,2023-01-10
[10]
电容器结构及包括其的半导体器件 [P]. 
金宰佑 ;
金喆基 ;
金澈完 ;
朴有庆 ;
崔吉铉 .
中国专利 :CN109390467A ,2019-02-26
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