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端面耦合器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110425967.4
申请日
:
2021-04-20
公开(公告)号
:
CN115220149B
公开(公告)日
:
2024-04-12
发明(设计)人
:
杨雷静
郎需跃
忻向军
张琦
饶岚
孙莉萍
王宁
王拥军
田清华
田凤
申请人
:
北京邮电大学
申请人地址
:
100876 北京市海淀区西土城路10号
IPC主分类号
:
G02B6/12
IPC分类号
:
代理机构
:
北京金咨知识产权代理有限公司 11612
代理人
:
秦景芳
法律状态
:
授权
国省代码
:
北京市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-04-12
授权
授权
共 50 条
[1]
端面耦合器
[P].
杨雷静
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杨雷静
;
郎需跃
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郎需跃
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忻向军
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忻向军
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张琦
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张琦
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饶岚
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饶岚
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孙莉萍
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孙莉萍
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王宁
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王宁
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王拥军
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王拥军
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田清华
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田清华
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田凤
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田凤
.
中国专利
:CN114910996A
,2022-08-16
[2]
端面耦合器
[P].
杨雷静
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杨雷静
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郎需跃
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郎需跃
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忻向军
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忻向军
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张琦
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张琦
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饶岚
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饶岚
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王宁
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王宁
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王拥军
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王拥军
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田清华
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田清华
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田凤
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田凤
.
中国专利
:CN114460682A
,2022-05-10
[3]
端面耦合器结构和制备端面耦合器的方法
[P].
杨洋
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华为技术有限公司
华为技术有限公司
杨洋
;
郑雯
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华为技术有限公司
华为技术有限公司
郑雯
;
王艳
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华为技术有限公司
华为技术有限公司
王艳
;
韩相磊
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华为技术有限公司
华为技术有限公司
韩相磊
.
中国专利
:CN117826320A
,2024-04-05
[4]
端面耦合器及耦合端面加工方法
[P].
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王政
;
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机构:
苏艳梅
;
杨一博
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中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
杨一博
;
王鹏飞
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中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
王鹏飞
;
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机构:
潘教青
;
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张冶金
.
中国专利
:CN121050025A
,2025-12-02
[5]
端面耦合器结构、端面耦合器封装结构及其封装方法
[P].
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余华
;
葛邦同
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重庆大学
重庆大学
葛邦同
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金伟锋
;
荣根旺
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重庆大学
重庆大学
荣根旺
;
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蒋平
.
中国专利
:CN120779534A
,2025-10-14
[6]
端面耦合器、端面耦合器的制备方法和光子芯片
[P].
刘阳
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
刘阳
;
肖希
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
肖希
;
陈代高
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
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陈代高
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张红广
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
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张红广
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周佩奇
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
周佩奇
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周子涵
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
周子涵
.
中国专利
:CN119717125A
,2025-03-28
[7]
端面泵浦耦合器
[P].
宫武鹏
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宫武鹏
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陈子伦
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陈子伦
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薛宇豪
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薛宇豪
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雷文强
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雷文强
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周寿桓
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周寿桓
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中国专利
:CN207069281U
,2018-03-02
[8]
端面耦合器及其制作方法、端面耦合方法
[P].
孙天玉
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孙天玉
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王筱
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王筱
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张宝顺
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张宝顺
.
中国专利
:CN112394446A
,2021-02-23
[9]
辅助薄层型端面耦合器
[P].
杨雷静
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杨雷静
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郎需跃
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郎需跃
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忻向军
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忻向军
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张琦
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张琦
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饶岚
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饶岚
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孙莉萍
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孙莉萍
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王宁
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王宁
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王拥军
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王拥军
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田清华
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田清华
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田凤
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田凤
.
中国专利
:CN115469399A
,2022-12-13
[10]
辅助薄层型端面耦合器
[P].
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机构:
杨雷静
;
郎需跃
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机构:
北京邮电大学
北京邮电大学
郎需跃
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机构:
忻向军
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机构:
张琦
;
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机构:
饶岚
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孙莉萍
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机构:
北京邮电大学
北京邮电大学
孙莉萍
;
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机构:
王宁
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王拥军
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机构:
田清华
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田凤
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中国专利
:CN115469399B
,2025-04-22
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