端面耦合器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110425967.4
申请日
2021-04-20
公开(公告)号
CN115220149B
公开(公告)日
2024-04-12
发明(设计)人
杨雷静 郎需跃 忻向军 张琦 饶岚 孙莉萍 王宁 王拥军 田清华 田凤
申请人
北京邮电大学
申请人地址
100876 北京市海淀区西土城路10号
IPC主分类号
G02B6/12
IPC分类号
代理机构
北京金咨知识产权代理有限公司 11612
代理人
秦景芳
法律状态
授权
国省代码
北京市 市辖区
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共 50 条
[1]
端面耦合器 [P]. 
杨雷静 ;
郎需跃 ;
忻向军 ;
张琦 ;
饶岚 ;
孙莉萍 ;
王宁 ;
王拥军 ;
田清华 ;
田凤 .
中国专利 :CN114910996A ,2022-08-16
[2]
端面耦合器 [P]. 
杨雷静 ;
郎需跃 ;
忻向军 ;
张琦 ;
饶岚 ;
王宁 ;
王拥军 ;
田清华 ;
田凤 .
中国专利 :CN114460682A ,2022-05-10
[3]
端面耦合器结构和制备端面耦合器的方法 [P]. 
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郑雯 ;
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中国专利 :CN117826320A ,2024-04-05
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苏艳梅 ;
杨一博 ;
王鹏飞 ;
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[5]
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葛邦同 ;
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[6]
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[8]
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[9]
辅助薄层型端面耦合器 [P]. 
杨雷静 ;
郎需跃 ;
忻向军 ;
张琦 ;
饶岚 ;
孙莉萍 ;
王宁 ;
王拥军 ;
田清华 ;
田凤 .
中国专利 :CN115469399A ,2022-12-13
[10]
辅助薄层型端面耦合器 [P]. 
杨雷静 ;
郎需跃 ;
忻向军 ;
张琦 ;
饶岚 ;
孙莉萍 ;
王宁 ;
王拥军 ;
田清华 ;
田凤 .
中国专利 :CN115469399B ,2025-04-22