一种降低晶体缺陷的单晶炉

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910146539.0

申请日：

2019-02-27

公开(公告)号：

CN109680330B

公开(公告)日：

2024-06-11

发明(设计)人：

刘冬雯

申请人：

刘冬雯

申请人地址：

226000 江苏省南通市如皋市如城街道凌青村二十一组16号

IPC主分类号：

C30B15/14

IPC分类号：

C30B29/06

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司 33224

代理人：

褚超孚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-11	授权	授权

共 50 条

[1]

一种降低晶体缺陷的单晶炉 [P].

刘冬雯 .

中国专利 :CN209873178U ,2019-12-31

[2]

一种降低晶体缺陷的单晶炉 [P].

刘冬雯 .

中国专利 :CN109680330A ,2019-04-26

[3]

一种降低铸锭硅单晶晶体缺陷的方法 [P].

熊震 ;

付少永 ;

张驰 .

中国专利 :CN102703965A ,2012-10-03

[4]

降低晶体缺陷密度的方法 [P].

M·P·德埃维林 ;

S·D·阿图尔 ;

L·B·罗兰德 ;

S·S·瓦加拉利 ;

J·W·卢塞克 ;

T·R·安托尼 ;

L·M·莱文森 .

中国专利 :CN1480569A ,2004-03-10

[5]

降低晶体缺陷密度的方法 [P].

M·P·德埃维林 ;

S·D·阿图尔 ;

L·B·罗兰德 ;

S·S·瓦加拉利 ;

J·W·卢塞克 ;

T·R·安托尼 ;

L·M·莱文森 .

中国专利 :CN1920124A ,2007-02-28

[6]

一种降低晶体缺陷的碳化硅单晶制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111962152A ,2020-11-20

[7]

一种降低磷化铟晶体缺陷的方法 [P].

史艳磊 ;

孙聂枫 ;

王书杰 ;

张鑫 ;

张晓丹 ;

李晓岚 ;

邵会民 ;

王阳 .

中国专利 :CN117737821A ,2024-03-22

[8]

一种检测晶体缺陷的装置 [P].

张玉 ;

曹建民 ;

赵龙 ;

宋旭宁 ;

董永见 .

中国专利 :CN203465253U ,2014-03-05

[9]

降低晶体缺陷的钻头生产工艺 [P].

李明义 .

中国专利 :CN107663575A ,2018-02-06

[10]

单晶体缺陷的去除方法及用该方法去除缺陷的单晶体 [P].

古川纯 ;

须藤充 ;

中井哲弥 ;

藤川隆男 ;

增井卓也 .

中国专利 :CN1215205C ,2001-10-31

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