一种检测晶体缺陷的装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320527901.7

申请日：

2013-08-27

公开(公告)号：

CN203465253U

公开(公告)日：

2014-03-05

发明(设计)人：

张玉曹建民赵龙宋旭宁董永见

申请人：

申请人地址：

055550 河北省邢台市宁晋晶龙大街279号

IPC主分类号：

G01N3300

IPC分类号：

代理机构：

河北东尚律师事务所 13124

代理人：

王文庆

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-13	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101730631977 IPC(主分类):G01N 33/00 专利号:ZL2013205279017 登记生效日:20160321 变更事项:专利权人变更前权利人:河北宁晋松宫半导体有限公司变更后权利人:晶澳太阳能有限公司变更事项:地址变更前权利人:055550 河北省邢台市宁晋晶龙大街279号变更后权利人:055550 河北省邢台市宁晋县晶龙大街267号
2014-03-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种碳化硅晶体缺陷的检测装置 [P].

李天运 ;

邱艳丽 .

中国专利 :CN221782139U ,2024-09-27

[2]

一种大口径晶体缺陷检测方法及装置 [P].

张鹏 ;

孙付仲 ;

卢礼华 ;

梁迎春 .

中国专利 :CN103808694B ,2014-05-21

[3]

一种碳化硅晶体缺陷的检测装置 [P].

陈敬楠 ;

张平 ;

邹宇 .

中国专利 :CN213986159U ,2021-08-17

[4]

晶体缺陷的检测方法与检测装置 [P].

郝宁 ;

王力 ;

俎世琦 .

中国专利 :CN114166171B ,2022-03-11

[5]

检测硅晶体缺陷的方法 [P].

华佑南 ;

李晓旻 .

中国专利 :CN104155302B ,2014-11-19

[6]

硅晶体缺陷检测方法 [P].

张兆民 .

中国专利 :CN107316822A ,2017-11-03

[7]

有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置 [P].

吴新功 ;

吴义凯 ;

田京生 .

中国专利 :CN215668280U ,2022-01-28

[8]

一种降低晶体缺陷的单晶炉 [P].

刘冬雯 .

中国专利 :CN209873178U ,2019-12-31

[9]

一种降低晶体缺陷的单晶炉 [P].

刘冬雯 .

中国专利 :CN109680330B ,2024-06-11

[10]

一种降低晶体缺陷的单晶炉 [P].

刘冬雯 .

中国专利 :CN109680330A ,2019-04-26

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